Пн янв 29, 2018 22:12:19
Вт янв 30, 2018 00:36:46
Вт янв 30, 2018 01:13:42
Вт янв 30, 2018 01:14:13
"кажись" в техниеке не прокатит!!!...Compact писал(а):IRF640 держит 72 ампера кажись.
Вт янв 30, 2018 01:29:12
"кажись" в техниеке не прокатит!!!...Compact писал(а):IRF640 держит 72 ампера кажись.
Вт янв 30, 2018 01:30:29
Вт янв 30, 2018 01:43:45
Вт янв 30, 2018 07:06:23
Вт янв 30, 2018 08:10:43
Вт янв 30, 2018 08:23:16
Не за что.Compact писал(а): спасибо
Это та рассеиваемая мощность, больше которой никакой теплоотвод уже не поможет.Compact писал(а):однако что тогда такое Maximum Power Dissipation ?
Вт янв 30, 2018 08:28:15
Не за что.Compact писал(а): спасибо
Это та рассеиваемая мощность, больше которой никакой теплоотвод уже не поможет.Compact писал(а):однако что тогда такое Maximum Power Dissipation ?
Вт янв 30, 2018 08:47:40
Но это еще не все. Это был расчет статической рассеиваемой мощности, а есть еще динамическая, связанная с нахождением транзистора в активном режиме в процессе переключения. Ее расчет сложнее и связан с параметрами драйвера затвора и частотой переключения. Но при невысокой частоте переключения (сотни герц-килогерцы) можно просто рискнуть и включить. Главное, не удивляйтесь, что транзистор горячее, чем ожидалось.Compact писал(а):0.7Вт выходит
Вт янв 30, 2018 09:45:59
Вт янв 30, 2018 10:36:01
Если вы не ошиблись в расчетах и частота коммутации меньше примерно 10КГц, то, скорее всего да. По крайней мере, можно попробовать.Compact писал(а):то есть в моем случае я могу использовать IRF3205 или похожий по характеристикам полевик без радиатора?
Крутизна, по определению, это отношение изменения величины тока стока к изменению величины напряжения на затворе. Этот параметр встречается и у ламп и у биполярных транзисторов. В случае последних, она зависит только от величины тока коллектора и расчитывается по формуле S=Ic/Ut где Ut-температурный потенциал, равный для кремниевого транзистора 26мВ. К hfe крутизна не имеет никакого отношения.Compact писал(а):что такое крутизна характеристики? что-то вроде hfe у биполярников?
Крутизна связана с усилительными свойствами прибора, лучше или хуже - зависит от конкретных обстоятельств, тут двумя словами не обойтись.Compact писал(а):лучше когда крутизна больше или меньше?
Вт янв 30, 2018 10:44:02
Вт янв 30, 2018 10:54:20
такие вещи изучаются последователно и с графиками и подробноЛенин В.И. писал(а):УЧИТСЯ УЧИТСЯ УЧИТСЯ
Вт янв 30, 2018 11:09:40
При токах нагрузки до десятков ампер выгоднее использовать MOSFET. При нагрузках в десятки и сотни ампер выгоднее IGBT. Связано это с тем, что у MOSFET сопротивление канала величина постоянная и не зависит от тока. Потери на ключе в виде тепла равны
КВАДРАТУ тока, умноженному на сопротивление канала. Т.е. при возрастании тока вдвое, потери возрастают в четыре раза! При относительно небольших значениях тока с потерями можно мириться, но при больших токах - катастрофа. Что касается IGBT, то на выходе у них биполярные транзисторы, у которых напряжение насыщения хотя и зависит от тока, но не так катастрофически. Потери от тока зависят почти линейно.
Вт янв 30, 2018 11:26:06
musor, обычно, говорит правильные вещи, только несколько своеобразно.Compact писал(а):Что ж вы вредный такой?
Да не бойтесь вы, при 36Гц у вас и IRF3205 нормально работать должен. Если нет, то ищите ошибку, IGBT вряд ли поможет.Compact писал(а):может и в правду IGBT использовать?
Вт янв 30, 2018 11:39:51
Вт янв 30, 2018 11:49:54