Измерители SPICEпараметров транзисторов

[SashaN123]

Есть ли такие?
Типа, берешь живой реальный транзистор, втыкаешь в прибор и получаешь табличку основных спайс-параметров для дальнейшего моделирования в программных симуляторах?

[Hand-Maker]

Не знаю, как в других программах, но в микрокепке есть такая функция. Можно по параметрам "живых" транзисторов и диодов создавать вполне адекватные модели.
Причем это умел делать еще микрокап-3 в далеком 93-95-ом году, когда на основе базо-матричного кристалла разрабатывали интегральный усилитель для головки наведения. Быстродействие требовалось единицы -- пару десятков наносекунд. Сняли параметры транзисторов с кристалла, загнали в прогу, дальше симили и модернизировали. А когда уже получили адекватные результаты моделирования -- заказали ИМС. Так вот, живьем усилитель выдавал параметры и форму сигнала почти неотличимые от расчетных.

[SashaN123]

Речь не о том, как вбить в модель параметры живого транзистора, а о том что бы эти параметры получить автоматически неким специальным прибором. Причем не только статические, но и динамические...
Есть т.н. радиолюбительский "транзистор тестер". А более продвинутая профессиональная версия существует?

[SashaN123]

Странно, но что то нагуглить в интернете дает только монстроидальные приборы времен ссср http://zapadpribor.com/category/ispytat ... detaley/2/ .Как будто тема в наше время потеряла актуальность. Хотя при наличии микроконтроллеров можно было бы наверняка сотворить хорошие и точные автоматические приборы...

Или цены http://zapadpribor.com/ippp-3/ .....

[oldbulb]

Шо, опять?

[local07]

Берешь второй реальный транзистор, маркируешь его и делаешь то же само. И так далее, до посинения.
Зачем столько индивидуальных спайс-параметров? Для индивидуального моделирования номерных транзисторов? Или для планирования применения самопильных транзисторов?

Есть тестеры микросхем, автоматом определяющих что вставлено в панельку. В пределах возможностей тестеров конечно.
Хочется изобрести аналогичное?

[TrexREXX]

SashaN123 писал(а):

Странно, но что то нагуглить в интернете дает только монстроидальные приборы времен ссср http://zapadpribor.com/category/ispytat ... detaley/2/ .Как будто тема в наше время потеряла актуальность. Хотя при наличии микроконтроллеров можно было бы наверняка сотворить хорошие и точные автоматические приборы...

Или цены http://zapadpribor.com/ippp-3/ .....

Зачем сегодня измерять параметры транзисторов? Если это не левотня, то все по даташиту.
Это конечно про импорт.
Ну единственное h21э при разных токах коллектора для подбора в пары для усилов.
Есть Л2-22 и Л2-42, так вот если транзисторы из одной упаковки, то практически один в один.
Ну для успокоения промеряю
Если для динамики, то это уже Характериограф.
Вот по этому слову и гуглить. ADVANTEST R6245-46 с помощью софта может снимать ВАХи.
Правда токи у ADVANTEST R6245 маловаты, а ADVANTEST R6246 у меня нет

[SashaN123]

Зачем? Если даже не учитывать леваки, то параметры транзисторов даже одного номера, но разных производителей значительно разнятся. Да и от партии к партии тоже по некоторым параметрам. Да и найденные в инете модели на одни и те же транзисторы сильно отличаются, да и по некоторым параметрам в сравнении с даташитами вызывают вопросы не малые. В общем что мы симулируем, и то что получаем это далеко не одно и то же...

[TrexREXX]

SashaN123 писал(а):

Зачем? Если даже не учитывать леваки, то параметры транзисторов даже одного номера, но разных производителей значительно разнятся. Да и от партии к партии тоже по некоторым параметрам. Да и найденные в инете модели на одни и те же транзисторы сильно отличаются, да и по некоторым параметрам в сравнении с даташитами вызывают вопросы не малые. В общем что мы симулируем, и то что получаем это далеко не одно и то же...

Почитайте Intelligent Curve Tracer
Или ручками, ручками

[SashaN123]

Интересный прибор. По сути характериографф. Рисует графики входных и выходных характеристик. Осталось только перевести графики в параметры Спайсмоделей. В принципе, для нахождения именно параметров моделей графики не нужны особо. Т.к. модели всех типов полупроводников одинаковые , нужны только значения токов и напряжений в нескольких характерных точках. Значит автоматический прибор можно сделать значительно проще и дешевле...

[TrexREXX]

SashaN123 писал(а):

Зачем? Если даже не учитывать леваки, то параметры транзисторов даже одного номера, но разных производителей значительно разнятся. Да и от партии к партии тоже по некоторым параметрам. Да и найденные в инете модели на одни и те же транзисторы сильно отличаются, да и по некоторым параметрам в сравнении с даташитами вызывают вопросы не малые. В общем что мы симулируем, и то что получаем это далеко не одно и то же...

Повторюсь еще РАЗ, смотрим даташит, если ТРАНЗИСТОР с тем-же номером он ОБЯЗАН соответствовать даташит'у!
Если нет, это ДРУГОЙ ТРАНЗИСТОР. Конечно у разных производителей могут быть дивиация, НО В РАМКАХ даташит!

Добавлено after 7 minutes 10 seconds:

SashaN123 писал(а):

Интересный прибор. По сути характериографф. Рисует графики входных и выходных характеристик. Осталось только перевести графики в параметры Спайсмоделей. В принципе, для нахождения именно параметров моделей графики не нужны особо. Т.к. модели всех типов полупроводников одинаковые , нужны только значения токов и напряжений в нескольких характерных точках. Значит автоматический прибор можно сделать значительно проще и дешевле...

Значит автоматический прибор можно сделать значительно проще и дешевле...
Сделать можно все!!! Я писал выше, что с помощью Advantest R6245 можно снять параметры тра-ов, что я и делаю.
Но возможности ограничены либо напрядением, 250 вольт максимум, при токе 0.5 А, либо током в 2.5А при напруге 50 Вольт.
Это несколько разных Advantest и НР. Что бы сделать прибор аналогичный Intelligent Curve Tracer, надо быть не ТОЛКО железячником,
но и более чем крутым, програММером, имхо! Софт под МК и винду или линюкс ОСИЛИТЕ в ОДНОГО?

[SashaN123]

Обязан, но, видимо, не должен.
Насчет софта, нет конечно. Пусть это будет подкинутой идеей для программистов микроконтроллеров.
Мне, как аналоговику, проще собрать макетки для измерения характерных рабочих точек. транзисторов. И на аналогичной схеме в симуляторе подогнать эти точки через спайспараметры модели.

ПС. А иметь какие нить приставочки к Ардуино, например, для теста транзюков было б прикольно...

[Hand-Maker]

А у меня "вопрос в корень". Для чего необходимо снимать параметры транзисторов в виде набора СПАЙС-коэффициентов?
Эти коэффициенты в общем-то далеки от тех данных, которые используются при анализе работы схемы человеком. Чел оперирует вольтами-амперами и килогерцами. В продвинутом варианте -- еще их температурными зависимостями. А в спайс-моделях есть коэфф.неидеальности перехода, например, или вот начальный ток перехода на уровне (10 в степени -15) ампер. Оно вам как-то поможет? Нахрена вам знать два десятка непонятных чисел, не имеющих к "пощупанной реальности" никакого отношения?
И еще: вас пугает монструозность приборов? А не смущает сама фраза исследование параметров транзистора. Это достаточно серьезная лабораторная работа, и измерения должны быть проведены с достаточной точностью. Китайский тестер особо не поможет. ВОт чисто для себя напишите на бумажке план такой работы с перечислением всех измерительных приборов и источников питания, которые понадобятся. Тогда Л2-... монстром не покажется.

[SashaN123]

Для того, что бы результаты моделирования получились наиболее близки к реальности. Проектирование аналоговых сложных схем проходит в три этапа. Сначала на основе собственного опыта и расчета "на пальцах" с использованием основных нескольких параметров транзисторов из даташитов или измеренных производится прикидка схемы на бумажке или в уме и выбор транзисторов. Потом уточнение и поиск подводных камней в симуляторе и получение ожидаемых в железе итоговых характеристик всей схемы. Далее разработка печатной платы и изготовления макета схемы. Далее это летит либо в мусорное ведро, или доводится до окончательного вида. Причем, может оказаться, в несколько этапов. Чем точнее модели в симуляторе, тем меньше мусора в ведре и потраченного драгоценного времени.
В моделях транзисторов требуют уточнения не так то и много параметров, на самом деле. Большая часть из них стоит по умолчанию и как правило не трогается. Определяется материалом, проводимостью, мощностью транзистора, технологией и т.п. Основные, влияющие сильно на результат, это параметры определяющие усиление и зависимость его от тока и выходного напряжения, порог открывания и крутизну входной характеристики, граничную частоту усиления и опять же ее зависимость от тока и напряжения, емкости переходов, сопротивление базы и эмиттера, может быть...
Остальные можно позаимствовать из модели ближайшего аналога.

[sstvov]

Нафига разрабатывать схему под конкретный экземпляр транзистора? Глупо это. Наоборот схему нужно такую разрабатывать в которой транзисторы с большим разбросом параметров смогут работать.

[SashaN123]

Не обязательно под конкретный экземпляр. Под экземпляры того или иного производителя, которые можно или уже приобрел. Универсальная схема на любые попавшиеся транзисторы (особенно силовые) не даст предельно возможных результирующих характеристик. Загрубленные посредственные параметры и все. Лишь бы играло. Что собственно часто и имеется в серийных бюджетных изделиях.

[TrexREXX]

SashaN123 писал(а):

Не обязательно под конкретный экземпляр. Под экземпляры того или иного производителя, которые можно или уже приобрел. Универсальная схема на любые попавшиеся транзисторы (особенно силовые) не даст предельно возможных результирующих характеристик. Загрубленные посредственные параметры и все. Лишь бы играло. Что собственно часто и имеется в серийных бюджетных изделиях.

Что собственно часто и имеется в серийных бюджетных изделиях.
Я так понимаю про усилы? И что? Вместо 0.001 получим 0.0001%?
http://audioes.ru/viewtopic.php?t=6769 Про подбор тр-ров.
Ну или процесс ради процесса? Программка нам смоделировала, а железо в урну?

[SashaN123]

Примерно так. В этой сфере тема наиболее актуальна. В силовой импульсной менее остра, да и то...
Изделия подобного класса без тщательного подбора по параметрам транзисторов, думаю, не обходятся.

При нынешних качествах моделей транзисторов, думаю, что бы получить в железе 0.001 надо иметь в модели как минимум на порядок лучше...

[TrexREXX]

SashaN123 писал(а):

Примерно так. В этой сфере тема наиболее актуальна. В силовой импульсной менее остра, да и то...
Изделия подобного класса без тщательного подбора по параметрам транзисторов, думаю, не обходятся.

При нынешних качествах моделей транзисторов, думаю, что бы получить в железе 0.001 надо иметь в модели как минимум на порядок лучше...

ОФФТОП
Имея ~ 1000 часов налета на ЯК18, ЯК52,АН2,L29-39,СУ26, еле-еле взлетал на програмном симуляторе, и почти ни разу не встал на полосу
Тоже и про парашют.......
Но стремлюсь.

[SashaN123]

А что удивительного? Собрал в симуляторе схемку, показывающую зависимость коэффициента усиления тока транзистора от тока эмиттера и сразу появились вопросы. Не похожа на даташитные...
Падение напряжение на эмиттерном переходе распространенного кремниевого транзистора больше похоже как у германиевого.
И т. п...