Полупроводники. Гетеропереход
Ср июн 13, 2018 13:30:01
Здравствуйте! Не знаю, по адресу ли я обратился, но если кто-то шарит в данной теме, прошу помочь с некоторыми вопросами.
Дано: гетеропереход - контакт двух полупроводников разных типов, 1-й легирован донорами с концентрацией 10^14, 2-й собственный. Работа выхода 1-го меньше, чем 2-го. Ширина запрещенной зоны 1-го - 1 эВ, 2-го - 3 эВ.
Для установления равновесия, уровни Ферми выравниваются, и часть электронов из материала с меньшей работой выхода переходит в другой материал. То есть в моем случае, часть электронов из ПП n-типа, перейдут в собственный ПП. Вопрос - уменьшится или увеличится проводимость приконтактного слоя собственного ПП? Я считаю, что это зависит от кол-ва электронов, которые перейдут. Если их кол-во мало, то они просто заполнят дырки в валентной зоне собственного ПП и проводимость ухудшится. А если кол-во электронов велико, то они не только заполнят дырки, но также и остануся свободные электроны и, следовательно, проводимость возрастет. Верны ли мои суждения? Также нужно рассчитать ширину обедненной зоны n-ПП и ширину обогащенной зоны собственного ПП. Как это сделать? Возможно нужно использовать формулу N=N0*exp(-W/kT). Также можно предположить, что кол-во электронов перешедшее в собственный ПП равно 10^12.
Дано: гетеропереход - контакт двух полупроводников разных типов, 1-й легирован донорами с концентрацией 10^14, 2-й собственный. Работа выхода 1-го меньше, чем 2-го. Ширина запрещенной зоны 1-го - 1 эВ, 2-го - 3 эВ.
Для установления равновесия, уровни Ферми выравниваются, и часть электронов из материала с меньшей работой выхода переходит в другой материал. То есть в моем случае, часть электронов из ПП n-типа, перейдут в собственный ПП. Вопрос - уменьшится или увеличится проводимость приконтактного слоя собственного ПП? Я считаю, что это зависит от кол-ва электронов, которые перейдут. Если их кол-во мало, то они просто заполнят дырки в валентной зоне собственного ПП и проводимость ухудшится. А если кол-во электронов велико, то они не только заполнят дырки, но также и остануся свободные электроны и, следовательно, проводимость возрастет. Верны ли мои суждения? Также нужно рассчитать ширину обедненной зоны n-ПП и ширину обогащенной зоны собственного ПП. Как это сделать? Возможно нужно использовать формулу N=N0*exp(-W/kT). Также можно предположить, что кол-во электронов перешедшее в собственный ПП равно 10^12.