там под постом развернутый ответ.
Это рисунок, график, но никак не табличка. Ну да ладно.
но это симисторный, а для обычных транзисторных я не видел конечно.
Ага, вы сами ответили.
У меня по тз 24в и 25-30 ампер нагрузки, если брать импульсный, то
этот или
мой который я привел подойдут.
Нагрузка-то какая? Индуктивная? Нужен ли ей диод? Ну а если нужен, то исходите из максимально возможного тока, то есть 30 А. Вы правы, выбранный вами диод можно - но только надо проверить, что время импульса (оно определяется индуктивностью нагрузки) не окажется слишком длительным для диода.
Как если не секрет? Банальный делитель напряжения на входе, но без стабилитрона, просто рассчетный?
Да, именно делитель, как и было в вашем исходном варианте. Делитель - на затвор, а не на входе оптопары.
Почему десятки ом?
Иногда и единицы.
Вроде рекомендованные в диапазоне от 100-220 где-то?
Где и кем рекомендованы? Я даю другие рекомендации. Сотни ом можно ставить на ключи, которые иногда включаются, иногда выключаются... А где требуется ШИМ, да на десятках или даже сотнях килогерц, там сотни ом - слишком много.
И не ужели индуктивность таких малых по длине дорожек от оптрона до мосфета, могут на что-то влиять?
Конечно, может влиять, и реально влияет. Вам, видимо, просто не приходилось проверять изделия на электромагнитную совместимость. У меня трёхсантиметровый проводничок на плате, по которому из осциллятора в микроконтроллер подавался тактовый сигнал 16 МГц, чуть не загубил прохождение проверки на помехоэмиссию - девайс прошёл, но на грани: на 9-й гармонике, 144 МГц, тютелька в тютельку. В следующей версии плата будет многослойная, упрячу его вглубь, чтобы не гадил.
А если десятки ом, то каков рассчет резистора.
Посчитав например на 100Ом с 10В напряжения у меня получается период на открытие-закрытие всего 1.29 мкс. А с десятками он будет и того быстрее.
Скажем, при частоте 100 кГц период 10 мкс, два фронта вверх и вниз - это уже третья часть периода. А ведь сто килогерц - это довольно низкая частота. Конечно, если надо только разово включать-выключать - то никаких проблем.
Ciss= 2.15 nF -> скорость нарастания напряжения на входной емкости затвора dU/dt = I/C = U/(R*C) = 10/(100*2,15*10^(-9)) = 0,0465 V/nsec
Время на открытие или закрытие транзистора -> t = Vgs/(dU/dt) = 10 / 0,0465 = 215 nsec
Период на открытие+закрытие -> T(63%) = ton + toff = 215+215 = 430 nsec -> T(95%) = 3*T(65%) = 1,29 msec
Во-первых, не милли-, а микросекунды. Во-вторых, вы не учитываете эффект Миллера - влияние напряжения на стоке на затвор через ёмкость сток-затвор, которое для ключа тем больше, чем большее напряжение коммутируется.
Ток через затвор (G) - в моем случает 12/400 = 30 mA из которых на стабилитрон падают его табличные 19-20mA и соответственно на затвор идет -> Ig = 30 - 20 = 10 mA - это пиковый ток через ногу транзистора оптрона.
По-хорошему, в затвор надо вдувать амперы, но это делается, конечно, не простой транзисторной оптопарой.
Ну и теперь сравниваем наш высчитанный T(95%) с периодом по даташит на
IRF540N у нас полный заряд Qg = ~45 nC , при нагрузке 16A и напряжении 20В(фигура 6) , отсюда следует T(95% табл.) = Qg/Ig = 45/10 = 4.5 msec.
Чет разница большая получается аж в 3 раза. А тут вы предлагает десятки Ом ставить, что автоматом увеличит скорость мосфета, а хорошо ли это?
Увеличит скорость открывания-закрывания? Так это хорошо: ключ меньше времени будет находиться в активном режиме, в котором ему приходится рассеивать большую мощность - соответственно, меньше будет нагреваться.