Здесь принимаются все самые невообразимые вопросы... Главное - не стесняйтесь. Поверьте, у нас поначалу вопросы были еще глупее :)
Ответить

Re: Полевой Транзистор с управляющим pn-переходом.

Пт июн 02, 2017 10:10:22

А если напряжение отсечки подать на затвор через конденсатор, утечка будет меньше? Хотя на затворе вроде и так огромное сопротивление.
Это делать бесполезно, затвор тут уже не при делах.
Или под током утечки понимается ток Исток-Сток и что при напряжении отсечки полного запирания не будет?
Именно так. Конечно, у маломощных транзисторов этот ток измеряется наноамперами, но не совсем ноль, и об этом следует помнить, ибо иногда он мешается ощутимо.


Кстати, уточнение.
У полевого транзистора есть "напряжение отсечки".
Это что получается, чтобы по транзистору не проходил ток, нужно подать на затвор это напряжение?
Для транзистор с p-каналом нужно подать положительное, а с n-отрицательное?
Это так, когда речь идёт о транзисторах с затвором, изолированным PN-переходом. У МОП-транзисторов напряжение отсечки может быть (и часто бывает) "своего" знака.
Последний раз редактировалось mickbell Пт июн 02, 2017 10:49:31, всего редактировалось 1 раз.

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Пт июн 02, 2017 10:26:55

да, но действует в "ту же сторону", это как в цепь затвора батарейку добавить.

Re: Полевой Транзистор с управляющим pn-переходом.

Пт июн 02, 2017 10:38:37

Кстати, уточнение.
У полевого транзистора есть "напряжение отсечки".
Это что получается, чтобы по транзистору не проходил ток, нужно подать на затвор это напряжение?
Для транзистор с p-каналом нужно подать положительное, а с n-отрицательное?
Это так, когда речь идёт о транзисторах с затвором, изолированным PN-переходом. У МОП-транзисторов напряжение отсечки может быть (и часто бывает) "своего" знака.

Вроде транзисторы с изолированным затвором это и есть МОП/МДП-тразисторы? И в зависимости от структуры транзистора (p-n-p или n-p-n) формируется знак?
Так?

да, но действует в "ту же сторону", это как в цепь затвора батарейку добавить.
Думаю, что в некоторых схемах соединение Затвора с Истоком (через резистор) и выполняет функцию создания напряжения отсечки. Так?

Re: Полевой Транзистор с управляющим pn-переходом.

Пт июн 02, 2017 10:46:59

Вроде транзисторы с изолированным затвором это и есть МОП/МДП-тразисторы? И в зависимости от структуры транзистора (p-n-p или n-p-n) формируется знак?
Так?
Термин я таки переврал. Первые называются "транзисторы с затвором в виде PN-перехода", про полную изоляцию затвора говорить не приходится. Прошу прощения.
Что касается знака у МОП-транзистора: если он N-канальный, то в любом случае открываться он будет, если напряжение на затворе будет БОЛЕЕ ПОЛОЖИТЕЛЬНОЕ, чем напряжение отсечки, которое само по себе может быть любого знака. Для P-канального - наоборот, напряжение для его открывания должно быть отрицательнее, чем напряжение отсечки.

Re: Полевой Транзистор с управляющим pn-переходом.

Пт июн 02, 2017 11:54:56

Вроде транзисторы с изолированным затвором это и есть МОП/МДП-тразисторы? И в зависимости от структуры транзистора (p-n-p или n-p-n) формируется знак?
Так?
Термин я таки переврал. Первые называются "транзисторы с затвором в виде PN-перехода", про полную изоляцию затвора говорить не приходится. Прошу прощения.
Что касается знака у МОП-транзистора: если он N-канальный, то в любом случае открываться он будет, если напряжение на затворе будет БОЛЕЕ ПОЛОЖИТЕЛЬНОЕ, чем напряжение отсечки, которое само по себе может быть любого знака. Для P-канального - наоборот, напряжение для его открывания должно быть отрицательнее, чем напряжение отсечки.

То есть картинка ВАХ для p-канального и n-канального транзисторов.?!

Изображение

МДП-транзистор это почти идеальный транзистор, вот только смущает что он сохраняет заряд на затворе.
А каким образом решают эту проблему, если это не нужно?
Последний раз редактировалось aen Пн июн 05, 2017 17:35:59, всего редактировалось 1 раз.
Причина: Нарушение Правил форума п. 2.7

Re: Полевой Транзистор с управляющим pn-переходом.

Пт июн 02, 2017 12:19:47

МДП-транзистор это почти идеальный транзистор, вот только смущает что он сохраняет заряд на затворе.
А каким образом решают эту проблему, если это не нужно?
Вопрос правильный. Ёмкость затвора (сама по себе, даже без учёта эффекта Миллера) может быть от сотен пик до чуть ли не десятков нан, ну единицы - точно, а ведь мосфеты приходится открывать-закрывать быстро, с частотами аж в сотни килогерц. В этом случае затвором управляют с помощью драйвера затвора - выполненного на транзисторах или готового, в виде микросхемы. Этот драйвер в импульсе выдаёт токи обоих знаков порядка ампера, чтобы побыстрее перезарядить затвор. Если столь быстрое включение-выключение не требуется, можно управлять затвором как попало. :-) В любом случае не следует оставлять его висящим в воздухе, иначе заряд с него будет уходить непонятно сколько времени. Достаточно резистора затвор - исток в десятки или даже сотни килоом.

Re: Полевой Транзистор с управляющим pn-переходом.

Пт июн 02, 2017 13:40:54

МДП-транзистор это почти идеальный транзистор, вот только смущает что он сохраняет заряд на затворе.
А каким образом решают эту проблему, если это не нужно?
Вопрос правильный. Ёмкость затвора (сама по себе, даже без учёта эффекта Миллера) может быть от сотен пик до чуть ли не десятков нан, ну единицы - точно, а ведь мосфеты приходится открывать-закрывать быстро, с частотами аж в сотни килогерц. В этом случае затвором управляют с помощью драйвера затвора - выполненного на транзисторах или готового, в виде микросхемы. Этот драйвер в импульсе выдаёт токи обоих знаков порядка ампера, чтобы побыстрее перезарядить затвор. Если столь быстрое включение-выключение не требуется, можно управлять затвором как попало. :-) В любом случае не следует оставлять его висящим в воздухе, иначе заряд с него будет уходить непонятно сколько времени. Достаточно резистора затвор - исток в десятки или даже сотни килоом.

Именно поэтому я и начал тему про "Полевой Транзистор с управляющим pn-переходом", а не с изолированным затвором.
Мне бы, для начала, с более простой схемой разобраться, не хотелось бы сразу лезть в дебри с разрядкой затворов и плодить каскады для сброса заряда. :)
Последний раз редактировалось aen Пт июн 02, 2017 15:47:49, всего редактировалось 1 раз.
Причина: Нарушение Правил форума п. 2.7

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Пт июн 02, 2017 15:36:57

Хорошо, пусть будут с PN-переходом. Будем говорить о какой-то конкретной схеме? Или о каком-то конкретном применении этого транзистора? "В общем виде" говорить неинтересно.

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Пт июн 02, 2017 22:45:51

Будем говорить о какой-то конкретной схеме? Или о каком-то конкретном применении этого транзистора?

Хотел сделать нечто вроде щупа с лампочкой(свето-диодом), чтобы видеть наличие напряжения, а заодно поиграться с полевым транзистором.

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сб июн 03, 2017 07:56:48

Тогда, я думаю, начинать надо именно с мосфета. Взять такой, который закрыт при нуле на затворе (они, наверно, практически все такие), с напряжением открывания поменьше ("управление логическими уровнями"). В сток - светодиод и токоограничительный резистор, к затвору - антенку, обязательно изолированную. Можно через резистор, скажем, 1 МОм. Резистор между затвором и истоком не нужен. Ну вот и всё, можно пробовать. При поднесении антенки к проводу под напряжением светодиод, может быть, :)) засветится. Почему здесь не подойдёт транзистор с PN-переходом, понятно?

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сб июн 03, 2017 11:06:03

Почему здесь не подойдёт транзистор с PN-переходом, понятно?

Нет непонятно.
:dont_know:

От малоёмкого источника не померить?

Вобщем вы меня убедили, буду пробовать с МОП, МДП т.е. с изолированным затвором.

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сб июн 03, 2017 14:11:09

Вы графики рисовали, по ним видно. Полевой транзистор с затвором в виде PN-перехода (JFET по буржуйской терминологии) всегда открыт (проводит ток) при нулевом напряжении (а надо, чтобы он был закрыт); чтобы запереть его, приходится подавать на затвор напряжение другого знака, чем на сток. Подать-то можно, но возникнут две проблемы.
1. Где его взять, другого знака?
2. Подавать его придётся через резистор, который резко снизит чувствительность устройства.
В-общем, пробуйте сразу мосфеты. Мне вот тоже не довелось иметь дела с JFETами, однако я не считаю себя ущербным. :))

Насчёт ёмкости - вопрос, конечно, интересный... Посчитаем? Допустим, мы имеем мосфет с напряжением открывания 1.8 В и ёмкостью затвор-исток 80 пФ. Нам надо среагировать на напряжение 180 В. Получается, ёмкость между искомым проводом и затвором должна быть не менее 0.8 пФ. Я думаю, такое обеспечить вполне реально. А возьмёте мощный мосфет - у него ёмкость может оказаться несколько нанофарад и он уже не откроется. (За основу взят BSS131, которых на работе у меня есть некоторое количество.)

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сб июн 03, 2017 14:31:46

Спасибо, буду пробовать мосфеты. :)

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сб июн 03, 2017 17:02:32

Хотел сделать нечто вроде щупа с лампочкой
Неужели кроме как помигать лампочкой с этими транзисторами больше ни на что фантазии не хватает? :cry:
Хотите мигать лампочками, тогда изучайте МК. :)) Этим у нас только программисты занимаются. Они программировать научились, а зачем, сами не знают, поэтому кроме как помигать светодиодом больше ничего им в голову не приходит.

Выбирайте на любой вкус. В процессе и принцип работы подобных транзисторов изучите.

Полевые транзисторы
http://zpostbox.ru/fet/fet0.html
Практическое применение полевых транзисторов
http://zpostbox.ru/prakticheskoe_primen ... torov.html
Приборы и системы, выполненные с использованием полевых транзисторов
http://zpostbox.ru/fet_based_circuits_0.html
Усилители низкой частоты на полевых транзисторах
http://zpostbox.ru/fet_based_ac_amplifiers.html
Усилители постоянного тока на полевых транзисторах
http://zpostbox.ru/fet_based_dc_amplifiers.html
Генераторы на полевых транзисторах
http://zpostbox.ru/fet_based_oscillators.html
Радиоприёмные устройства на полевых транзисторах
http://zpostbox.ru/radiopriemnye_ustroi ... orakh.html

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сб июн 03, 2017 18:15:56

Сходил по первой ссылке, посмотрел, что интересовало. Про шумы- бред, человек даже не различает Кш (F), от ЭДС шума.

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Вс июн 04, 2017 14:11:23

Вы графики рисовали, по ним видно. Полевой транзистор с затвором в виде PN-перехода (JFET по буржуйской терминологии) всегда открыт (проводит ток) при нулевом напряжении (а надо, чтобы он был закрыт); чтобы запереть его, приходится подавать на затвор напряжение другого знака, чем на сток. Подать-то можно, но возникнут две проблемы.
1. Где его взять, другого знака?
2. Подавать его придётся через резистор, который резко снизит чувствительность устройства.

Но ведь система сброса заряда у МОП-транзистора, почти эквивалентна, системе подачи напряжения отсечки на pn-транзистор и то и другое снижает чувствительность щупа.

А можно ли взять от напряжение другого знака от конденсатора?

Неужели кроме как помигать лампочкой с этими транзисторами больше ни на что фантазии не хватает? :cry:
Хотите мигать лампочками, тогда изучайте МК.
Начать мне проще с мигания лампочкой :), а если получится, буду прикручивать микропроцессор чтобы точные значения напряжения в цифру перевести и отобразить на цифровой панельке.

Ссылки интересные но мне пока рано на такие сложные схемы переходить. :)

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Вс июн 04, 2017 17:09:49

Но ведь система сброса заряда у МОП-транзистора, почти эквивалентна, системе подачи напряжения отсечки на pn-транзистор и то и другое снижает чувствительность щупа.
В этом случае для мосфета не нужно делать никакую систему сброса заряда - именно для того, чтобы не терять чувствительность. Я писал уже: резистор затвор-исток не нужен. Во всех других случаях или резистор, или что-то ещё - нужно.
А можно ли взять от напряжение другого знака от конденсатора?
Ничего не понял. Как, откуда? Поясните свою мысль.

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Вс июн 04, 2017 17:48:58

В этом случае для мосфета не нужно делать никакую систему сброса заряда - именно для того, чтобы не терять чувствительность. Я писал уже: резистор затвор-исток не нужен.
Чувствительность первого зажигания лампочки да, будет выше, но как привести состояние изолированного затвора в первоначальное состояние, ведь после включения он накопит заряд, который нужно сбросить, после отсоединения щупа от изменяемого источника напряжения.

А можно ли взять от напряжение другого знака от конденсатора?
Ничего не понял. Как, откуда? Поясните свою мысль.
Ну конденсатор вроде имеет разный знак напряжения на обкладках. подключая один конец конденсатора к плюсу, на другом получаем минус и этим минусом создаём напряжение отсечки.

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Вс июн 04, 2017 18:13:23

Чувствительность первого зажигания лампочки да, будет выше, но как привести состояние изолированного затвора в первоначальное состояние, ведь после включения он накопит заряд, который нужно сбросить, после отсоединения щупа от изменяемого источника напряжения.
Наверно, не отсоединения, а удаления? Мы же, как я понял, делаем бесконтактный индикатор напряжения, разве нет? Теперь что касается разряда затвора. Он и сам разрядится. Сопротивление утечки у него большое, да. Но ведь ёмкость-то небольшая, так что через какое-то время заряд с затвора сам собой рассосётся.
Ну конденсатор вроде имеет разный знак напряжения на обкладках. подключая один конец конденсатора к плюсу, на другом получаем минус и этим минусом создаём напряжение отсечки.
Это вы сейчас рассказали, как работает "зарядовый насос" (charge pump). Правда, одним конденсатором не обойдётесь, два надо, ну да это - детали. Можно сделать, конечно. Только зачем? Ведь тогда придётся устройству делать выключатель питания и не забывать его выключать. Заметьте, девайсик на мосфете прекрасно обойдётся без оного. Потом, будет проблема найти особо высокоомный резистор, через который подаётся напряжение смещения на затвор - чтобы опять же не сильно потерять в чувствительности. И всё это - ради чего?

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Вс июн 04, 2017 21:41:16

Наверно, не отсоединения, а удаления? Мы же, как я понял, делаем бесконтактный индикатор напряжения, разве нет? Теперь что касается разряда затвора. Он и сам разрядится. Сопротивление утечки у него большое, да. Но ведь ёмкость-то небольшая, так что через какое-то время заряд с затвора сам собой рассосётся.
Контактный, который вроде должен сработать бесконтактно если высокое напряжение.
Насчёт разрядки, наблюдал работу МОПов (контур с ламочкой), так вот после срабатывания, транзистор заряжался и лампочка не гасла приличное время. Так что как-то разряжать затвор видимо придётся.

Это вы сейчас рассказали, как работает "зарядовый насос" (charge pump). Правда, одним конденсатором не обойдётесь, два надо, ну да это - детали. Можно сделать, конечно. Только зачем? Ведь тогда придётся устройству делать выключатель питания и не забывать его выключать. Заметьте, девайсик на мосфете прекрасно обойдётся без оного. Потом, будет проблема найти особо высокоомный резистор, через который подаётся напряжение смещения на затвор - чтобы опять же не сильно потерять в чувствительности. И всё это - ради чего?

Да действительно, пишут что "зарядовый насос" по типу инвертор, хотя по мне "зарядовый насос" это нечто другое.
Ради того чтобы использовать ненавистные вами рп-управляемый полевик :))
Хочу попробовать щуп на обоих видах полевиков.
Ответить