Здесь принимаются все самые невообразимые вопросы... Главное - не стесняйтесь. Поверьте, у нас поначалу вопросы были еще глупее :)
Ответить

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Пт май 18, 2018 17:10:29

Можно ли с этим что-то сделать?

У мощных полевиков большой заряд затвора (многие об этом почему-то забывают).
Такие полевики надо открывать/закрывать драйвером с большим током (порядка 2-3А).
Выключается "реле" гораздо хуже потому как заряд затвор-стока почти в 4 раза выше чем заряд затвор-истока.
У полевиков на выключение нужен больший ток затвора.
Для этого ещё надо хороший танталовый кондёр в цепи питания (для такой схемы 22-47мкф).
И ещё включите транзисторы VT1/VT2 по схеме с общим эмиттером, а не с общим коллектором.

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Вс июн 03, 2018 10:48:35

пытаюсь разобраться с charge-pump для cnc
может кто объяснить почему схема заведется именно при 12,5кГц? не понимаю логику работы :(
Изображение
Вложения
схе33ма.jpg
(19.01 KiB) Скачиваний: 997

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Вс июн 03, 2018 11:27:30

1. Затвор изображён неправильно. Он должен быть напротив истока. Позор аффтору.
2. Частота вполне может быть совсем другой, хоть килогерц, хоть мегагерц. Если частота низкая, то ёмкость входного конденсатора, возможно, придётся увеличить, а также добавить конденсатор к затвору и истоку.
3. Называть это зарядовым насосом? Как-то, хмм, странно. Обычный детектор с удвоением напряжения. Для понимания этого факта представьте себе ёмкость затвор - исток, она реально есть, и немаленькая.

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Вс июн 03, 2018 18:23:27

благодарю за ответ.
смоделировал схемку в протеусе, вроде работает. при частоте меньше 10кГц уже начинает глючить. при остановке генерации выключается, что собственно и требовалось. буду на реальном железе пробовать

Изображение
единственное - великовато потребление для мк, протеус насчитал 0,62мА. надо ставить какой-нить буфер. в принципе на другом ресурсе это изначально советовали

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Пн июн 04, 2018 06:05:14

смоделировал схемку в протеусе, вроде работает. при частоте меньше 10кГц уже начинает глючить.
Или на реальном железе, или в симуляторе, но таки попробуйте увеличить входную ёмкость и добавить затворную, а потом снизить частоту - чисто в познавательных целях. Хотя... почему только в познавательных? Чем ниже частота, тем меньше ток потребления, так что снижение частоты может быть и практически полезно.

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Пн июн 04, 2018 07:00:50

а можно R2 ещё увеличить - потребление то всё через него идёт... (чем он больше - тем меньше потребление и мин. частота)

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Пн июн 04, 2018 14:36:42

когда игрался с моделью, заметил жесткую связь между С1 и R2. вначале установил неправильное значение R2 в 1К и завелась схема только с поднятием С1 до 100мкф

Или на реальном железе, или в симуляторе, но таки попробуйте увеличить входную ёмкость и добавить затворную, а потом снизить частоту - чисто в познавательных целях

получается надо увеличить С1 и установить конденсатор между затвором и землей. я вас правильно понимаю?

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Пн июн 04, 2018 19:49:49

когда игрался с моделью, заметил жесткую связь между С1 и R2. вначале установил неправильное значение R2 в 1К и завелась схема только с поднятием С1 до 100мкф
Ну а как иначе? Конечно, сопротивление нагрузки имеет значение. Чем оно меньше, тем быстрее в него разряжается конденсатор. Причём в данном случае - второй, который отсутствует, то есть ёмкость затвора. Надо бы именно её было увеличивать сначала, а потом уже и входную.
получается надо увеличить С1 и установить конденсатор между затвором и землей. я вас правильно понимаю?
Да. То есть можете всё это и не делать на реальном железе, ограничившись симулятором. Я вот не люблю симуляторы, хотя при необходимости пользуюсь микрокапом, я лучше макет соберу.

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Ср июл 18, 2018 17:37:41

Добрый день, уважаемые РадиоКоты. У меня есть полный картуз транзисторов вот такого плана
Изображение

Как среди них найти полевой транзистор ZVN2120 (КП501А)? Какие на нём должны быть обозначения?

Спасибо за помощь!
С уважением, Радион

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Пт авг 24, 2018 13:41:17

Подскажите - грозит ли чем ни-будь мосфету сток, висящий в воздухе?

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Пт авг 24, 2018 14:06:55

нет, просто не будет работать
хотя если транз закрыт, на стоке может скопиться статика (например в высоковольтных устройствах)

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Ср окт 10, 2018 05:53:12

важно ли для полевика какой ток протекает через затвор ?

Изображение

в этой схеме встречаются разные номиналы
и 3к термистор и на 100к он же
я попробовал на ирф44 поставить 100к мне показал ток затвора от выкл до вкл вентилятора 0,1-0,13ма
поставил на 10к термистор показал 1,32-1,58ма

как понять опасный режим в дашите не нашол эксплатуционых характеристик по этому поводу

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Ср окт 10, 2018 07:02:29

Обычно не указывается, т.к. при нормальных условиях эксплуатации (напряжение, прикладываемое к затвору не превышает допустимого) предельные значения не достигаются.

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Вт дек 18, 2018 17:11:33

Добрый день, уважаемые. Можно вопрос полного дилетанта?

Есть некая мощная нагрузка, на которую хотелось бы подавать и постоянное напряжение и переменное. Режим работы - ключ.
Есть схема встречно включенных IGBT и диодов с общим эмиттером :
Изображение

Как правильно прикинуть температурные режимы и охлаждение в этом случае?
Если, для примеру взять вот этот транзистор https://static.chipdip.ru/lib/923/DOC000923130.pdf
то:
для самого транзистора:
Vce=2.3V, термосопротивление Переход->корпус - 0.43C/W
для встроенного диода:
Vfm=2.6V, термосопротивление Переход->корпус - 1.45C/W

Получается при переменном токе в 40А:
Мощность выделяемая на транзисторе 40*2.3= 92Вт
Мощность выделяемая на диоде 40*2.6=104Вт

При этом дельта температур между кристаллом и корпусом будет:
для транзистора 92*0.43=40 грС (вроде терпимо)
для диода 104*1.45=151 гр С (ВТФ?)

это еще без учета, что диод + транзистор будут в одном периоде тепло выделять...

Собственно вопрос - это я так "считаю" или подобные транзисторы не предназначены для такого использования?

Спасибо за потраченное время

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Ср дек 19, 2018 03:03:08

Вот один из возможных ответов:http://www.symmetron.ru/suppliers/dau/KS.shtml

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Вс дек 23, 2018 14:50:49

В чем разница напряжений на затворах полевиков? вот есть транзистор в дш указано что на гейт позволено +-30в или более распространеный вариант +-20в но в тех же дш написано что уже при 10в на затворе оно полностью откроется а при 5в и ниже полностью закроется. А если подать -20 и +20 чего будет? что изменится? зачем оно надо?
И еще момент. Почему полевики которые позиционируются как "for hard switch" имеют просто конскую емкость затвора. Под 12нФ. И ничего выдающегося кроме огромной емкости в затворе у них нет. Остальные параметры "так себе". Зачем это надо?

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Вс дек 23, 2018 15:14:44

Почему +- (плюс-минус) непонятно, у полевика есть одна точка открытия, например 5В, и полного открытия например при 20В.
Если подать -20 В то полностью закроет транзистор.

полевики которые позиционируются как "for hard switch"

Не понял, расшифруйте.


Полевик нужен в тех случаях если вам важен низкий ток утечки затвора.

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Вс дек 23, 2018 15:47:06

Так написано в дш. По графикам больше 10в даже не рисуют. т.е на десяти вольтах в затворе он уже выдает свой RdsON. Но до 20в. Что если я подам 20в на затвор у него сопротивление канала отрицательным станет? Ок точка открытия 5в. подаю 2в и он закрыт как то неполностью в этом случае? миллиамперметр показывает ноль - значит закрыт? а если снижать напряжение еще -10в то что? если он уже закрыт то как он может закрытся сильнее? Или он откроется в обратную сторону? превращение н канала в п канал :D
Полевики предназначеные для коммутации индуктивностей как попало. моторчики там всякие. В том то и дело что за ту же цену можно найти обычный с большим током и меньшей емкостью на затворе. А тут вот как будто эта емкость чем то помогает.
Вот у меня есть два полевика. Один 20А и 4800пФ затвор. Второй 280А и 2800пФ затвор. Почему емкость обратна току?
И да удивительно но факт 20А работает лучше. Особенно когда появляется ток побольше.

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Вс дек 23, 2018 16:42:26

ток (и сопротивление) - характеристика канала, емкость и максимальное напряжение — параметр изолятора между затвором и каналом, если изолятор толще, то емкость станет меньше, а макс. напряжение выше, но уменьшится воздействие затвора на канал (станет меньше крутизна характеристик — для открытия/закрытия нужны будут большие напряжения)

Добавлено after 4 minutes 41 second:
ширина затвора влияет на напряжение, которое может выдержать запертый канал, также от неё зависит и емкость затвора... вобщем всё взаимосвязано.
а то что одни транзисторыизаработали лучше чем другие не говорит что они лучше, просто они больше подходят под конкретно эту задачу.

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Вс дек 23, 2018 16:49:56

В переводе на русский 10 В это усилие, с каким надо дёргать за ручку, чтобы ворота (Gate) полностью открылись, а 30 В - усилие, с каким можно ручку оторвать, и тогда ворота испортятся.
Ответить