Здесь принимаются все самые невообразимые вопросы... Главное - не стесняйтесь. Поверьте, у нас поначалу вопросы были еще глупее :)
Ответить

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Вт окт 22, 2019 08:51:13

1. Можно.
2. Вполне правдоподобно. Потому что когда вы "прокачиваете" ток через транзистор, значит, что на участке К-Э (И-С) транзистора вовсе не 300 вольт, а буквально единицы. На графике не напряжение питания схемы.
3, Есть разница. Всё дело в переходном процессе и паразитных ёмкостях. При переходном процессе транзистор ещё не полностью закрыт (не полностью открыт), и на участке К-Э (С-И) падает весьма большое напряжение - уже меньше, чем напряжение источника питания, но много-много больше, чем на открытом транзисторе. Оно в совокупности с начинающим (перестающим) течь током очень сильно греет кристалл. Хотя время переходного процесса и маленькое, он делает значительный вклад в разогрев транзистора (на рабочих частотах 20-30-40 кГц). Плюс, энергия, которая выделяется во время переходного процесса, нормируется производителем (не должна превышать оговоренного).

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Вт окт 22, 2019 09:07:01

1. Если ключи параллельные, то от чего изолирован BAT1?
2, 3. Транзистор работает в ключевом режиме. Либо через него а) ток не идёт, тогда мощность на транзисторе равна нулю, главное - не превысить допустимое напряжение, либо б) ток идёт, тогда напряжение на нём мало, мощность мала, главное - не превысить допустимый ток. На характеристиках SOA (SafeOperatingArea) это вертикальная и горизонтальная линии, ограничивающие оную SOA. Тут вы рассуждаете верно, НО! Переключение из открытого состояния в закрытое и обратно происходит не мгновенно. Сопротивление ключа постепенно растёт или уменьшается, в этот момент и ток через ключ идёт, и напряжение присутствует. Выделяется значительная мощность. Максимальная - когда сопротивление ключа равно сопротивлению нагрузки, напряжение источника питания, соответственно, распределяется между ними поровну. (авторы многих учебников любят приводить этот пример в качестве задачи) Чем медленнее происходит переключение, тем больше успеет нагреться кристалл ключа. Ограничение по мощности на диаграмме SOA - это и есть наклонные линии. Их несколько, для нескольких длительностей переключательного процесса. Наихудший вариант - о-о-очень медленный, практически DC. Но вы же не будете переключать о-очень медленно? А чтобы уменьшить время переключения, нужен большой ток, чтобы побыстрее зарядить/разрядить ёмкость затвора.
Хоть Slabovik и опередил меня, но "повторение - мать учения", не буду удалять свой ответ :)

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Вт окт 22, 2019 09:35:50

1. От источника этих самых 12В, я это так понимаю. Это развязанный DC/DC, AC/DC, поскольку выходом он "сидит" в силовой цепи.
2. Спасибо за ответы, очень доходчиво - начало проясняться -)

Неясно только одно - к примеру, имея напряжение в коммутируемой цепи 200VDC - мы берем по этому графику Vce как 200V? или как 100V?

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Вт окт 22, 2019 10:13:20

При нуле тока будет 200V, при нуле напряжения - максимальный ток, определяемый нагрузкой.

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Вт окт 22, 2019 10:46:33

Acorp писал(а):имея напряжение в коммутируемой цепи 200VDC - мы берем по этому графику Vce как 200V? или как 100V?
DC - это прямоугольник или синус? Если синус, то 200V среднеквадратичного это 280 V амплитудного. Если прямоугольник, то и амплитудное 200 V. Переключение транзистора - процесс быстрый, тут надо смотреть не на среднее, а на мгновенное напряжение. Теперь о том, на что надо смотреть, определяя мощность. Если на коллекторе напряжение сети, то на нагрузке ноль. Ток равен нулю, на диаграмме это верхняя левая точка, ограниченная напряжением, а не мощностью. Максимальная мощность - при половине напряжения сети. 100 или 140 В.

На диаграмме токи и напряжения в логарифмическом масштабе, из-за этого кривая равной мощности выглядит наклонной прямой. Вообще-то Uсе*I = const - гипербола. А закон Ома для сопротивления нагрузки Ur=R*I, он же (Uпитания - Uce)*I -- прямая. Она не должна подниматься над кривой максимально допустимой мощности. Рисовать мне лень, нашёл рисунок из какого-то учебника. Тут нагляднее: максимальная мощность на транзисторе при половине питания на нём.

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Чт ноя 14, 2019 18:05:30

У полевого транзистора с p-n-переходом (JFET) есть параметр - напряжение отсечки (Gate Cut-off Voltage - VGS(off))
Почему у некоторых MOSFET, например у 2SK3918 в даташите так же указан этот параметр, хотя у других мосфетов приводят пороговое напряжение включения транзистора - Gate Threshold Voltage VGS(th)?
Вложения
2SK3918.pdf
(89.21 KiB) Скачиваний: 23

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Пт ноя 15, 2019 05:50:47

FET имеют в подавляющем большинстве случаев индуцированный канал - для него указывается пороговое напряжение. А для для транзисторов с встроенным каналом указывается напряжение отсечки. Всё это потому, что отсчёт от 0 вольт идёт. Первые закрыты, а потом открываются - это порог. Вторые открыты, а с ростом напряжения закрываются - это отсечка.

Так просто сложилось исторически. То, что где-то оно может называться по-другому, сути процессов не меняет - оба эти названия отмечают напряжение GS, при котором транзистор можно считать запертым. Называние - это только ярлык, на который удобно ссылаться.

https://pue8.ru/silovaya-elektronika/84 ... torov.html

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Чт ноя 21, 2019 15:54:00

Здравствуйте,

Подскажите пожалуйста, как понять (до покупки) изолирован фланец у транзистора или нет?

https://www.chipdip.ru/catalog/igbt?gq=TO-247

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Чт ноя 21, 2019 18:23:49

Он разве бывает изолированный? TO220F - вот он изолированный, но он полностью пластмассовый. Смотрел я даташиты некоторых с этой странички - никакого упоминания об изолированности не нашёл.

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Пт ноя 22, 2019 07:27:32

Он разве бывает изолированный? TO220F - вот он изолированный, но он полностью пластмассовый. Смотрел я даташиты некоторых с этой странички - никакого упоминания об изолированности не нашёл.


Где-то на просторах наткнулся на http://valvolodin.narod.ru/articles/Ir/An/an-972.pdf удивился, что бывают изолированные "из коробки" и закрались сомнения. Решил спросить, на всякий случай.

Спасибо

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Пт ноя 22, 2019 08:05:12

Ну, значит, просто мне такие, TO247 фуллпаки, не попадались. Но если он фуллпак изолированный, то в даташите об этом прямо должно быть сказано, я думаю.

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сб ноя 23, 2019 15:10:03

Добрый вечер,

Собрал схему управления IGBT c IR2110 (см вложение).
Вместо +12v подаю 15v.
Вместо 300V подаю 30В с лбп. Нагрузка - резистор в 20 Ом. Подтягиваю HIN к +5V транзистор открывается не полностью. (0.20мА в линии вместо 30v / 20 ом = 1.5А). Причем регулируя напряжение в пределах 12-30В ничего не меняется - те же 20мА стабильно. После резистора "минус" лбп подтянут к "земле" схемы.
На затворе при этом ~7В.

Подскажите пожалуйста, что я делаю не так, куда копать? :solder:

П.С. Собрал схему без драйвера на NPN-PNP растяжке - все работает отлично.

И еще вопрос - насколько критично использование драйвера? коммутация редкая(ШИМа нет), токи большие (30-50А).
Вложения
isolated ps - MOSFET on.png
(13.27 KiB) Скачиваний: 142
bcbdec3774534adeb77925a9f2a75264.png
(10.7 KiB) Скачиваний: 131

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сб дек 07, 2019 22:07:44

Чуть выше я спрашивал про полевик 2SK398, у которого в даташите есть параметр VGS(off) - напряжение отсечки, характерный для транзисторов со встроенным каналом.
http://radio-hobby.org/uploads/datashee ... sk3918.pdf
При этом на 2 стр он изображен как мосфет с индуцированным каналом.

Решил посмотреть параметры транзисторов со встроенным каналом (Depletion MOSFET):
В даташите на BSP135 - VGS(th) вместо VGS(off) https://ru.mouser.com/datasheet/2/196/I ... 226393.pdf
А у DN2625 - VGS(off) https://ru.mouser.com/datasheet/2/268/2 ... 512899.pdf

Видимо производители могут называть данный параметр или VGS(th) или VGS(off) независимо от типа транзистора

Падение напряжения на истоке полевого транзистора.

Вс мар 08, 2020 18:44:53

Подскажите, где-то у меня знатный провал в знаниях.
Есть полевой MOSFET транзисток IRF530.
Ему на затвор подаётся примерно 5В с порта ардуинки.
На сток подаётся 9В с кроны.

Поясните почему на истоке получается примерно 1.6В?

Re: Падение напряжения на истоке полевого транзистора.

Вс мар 08, 2020 19:08:32

Поясните почему на истоке получается примерно 1.6В?
А сколько должно быть и почему? :)

Re: Падение напряжения на истоке полевого транзистора.

Вс мар 08, 2020 19:14:44

Поясните почему на истоке получается примерно 1.6В?
А сколько должно быть и почему? :)

А разве не те же 9В со стока?
Последний раз редактировалось aen Вс мар 08, 2020 19:18:02, всего редактировалось 1 раз.
Причина: Нарушение Правил форума п. 2.7

Re: Падение напряжения на истоке полевого транзистора.

Пн мар 09, 2020 09:14:30

А разве не те же 9В со стока?

Без схемы сложно что-то сказать. Есть подозрение, что...
1. Вы коротите крону через Rds_on транзистора, тем самым просаживая напряжение.
2. А если исток у вас висит в воздухе, то вы на нём как раз и видите 5 В - Vth, которое у данного транзистора 2...4 В.
Всё дело в том, что транзистор управляется напряжением затвор-исток, а если исток висит в воздухе...
Ответить