Посмотрите по справочным данным входные характеристики транзисторов (зависимость напряжения б-э от тока базы) и увидите, что они зависят от напряжения на коллекторе...
Хорошо, тогда сформулирую свой вопрос поближе к практике. Имеем следующую схему(см. рис)-схему с ОЭ.
Спойлер
Допустим, для сборки этой схемы у меня нету нужно транзистора, но есть некие иные, и я хочу подобрать ему замену(аналог). Пока оставим в покое токи коллектора, рассеиваемую мощность, частоту и пр. характеристики. Меня интересует входная часть. Вот, допустим, при подборе транзистора, новый транзистор может потребовать для открытия меньший ток, и тогда, если не вносить в схему изменения, новый транзистор может перегореть. Или же, наоборот, что еще хуже, для открытия нового транзистора понадобится бОльший ток, в связи с чем можно выжечь предыдущий каскад. Что это за параметр такой, на который нужно обратить внимание, чтобы подобрать транзистор, у которого ток открывания будут более-менее близок к току открывания исходного транзистора ?
Ведь может же такое быть, например: мы подобрали транзистор с аналогичными Ic и h21э. Т.е. у нового транзистора для получения нужного Ic, требуется примерно такой же Iб, как и у первого транзистора. Но вот напряжение Uэб, при котором достигается нужный Iб у нового транзистора отличается от напряжения Uэб исходного транзистора. И, допустим, отличается так, что у нового транзистора входная часть либо сгорит, либо вообще не откроется. Такое может быть?