Помогите с расчетом схемы источника стабильного тока.

ArT писал(а):У меня очень глупый вопрос - как собственно обеспечивается здесь постоянное напряжение на уровне 12,6 В если мы его регулируем на базе VT2. Вообще сомнительно - мы регулируем в данной схеме ток или напряжение?

Это регулируемый источник напряжения.Выходное напряжение задаётся делителем R4 & R5.Что подадим на базу транзистора VT2 , то и получим на выходе.Но! За вычитом Uбэ и падения напряжения от тока на R6.Поэтому надо крутить ручку R5 - как только изменится ток нагрузки , чтобы на выходе поддерживались заявленные 12,6В.
Здесь плавная установка тока срабатывания защиты по току потенциометром R3.
Транзистор (биполярный) - прибор , который стремится поддержать током коллектора на своём эмиттере напряжение , равное напряжению на базе , за вычитом падения напряжения на переходе база-эмиттер.Причём , это напряжение Uбэ увеличивается с ростом тока базы.А ток базы транзистора растёт с ростом тока коллектора(Iк=h21э*Iб).
Ну ещё есть куча нюансов. Но здесь этого достаточно.
Остальное - арифметика и закон Ома.
С процентами тут -неловко получилось ...Жара ещё ...Студент обязан проявить смекалку... :)))

мышонок писал(а):
ekimov писал(а):Книгу потом купите.Раньше был в 2-х томах. Сейчас - в 3-х
Наоборот. Изъяли том "Микропроцессоры".

Опять в 2-х :shock:

1983г. - в 2-х в твёрдом переплёте , с микропроцессорами
1993г. - в 3-х
Популярная ,однако книга

То есть как я понимаю - ток задается только величиной нагрузки?
Я книжку эту нашел 1998 года в одном томе 700 страниц.

ArT писал(а):Я книжку эту нашел 1998 года в одном томе 700 страниц.

В одной 1998 и 2003 года издания объединены 1 и 2 том оригинального издания (без главы № 10).

ArT писал(а):То есть как я понимаю - ток задается только величиной нагрузки?

В этой схеме - да!
Источник тока стремится поддержать свой заявленный ток в пределах своих возможностей. Его выходное напряжение меняется от 0 В , когда нагрузка в коротком замыкании(при этом ток к.з. будет равным заявленному току) и до максимального своего напряжения - без нагрузки(тока нет , а источник изо всех своих сил - напряжением - его предлагает).

Источник напряжения изо всех своих сил(током через нагрузку) - поддерживает заявленное напряжение. В своих стараниях он может выдать ток от 0 А , когда нагрузки нет и до максимально возможного(зависит от мощности источника). Если нагрузка ещё увеличится - источник напряжения не сможет уже поддержать(не сможет уже дальше увеличить ток - мощи не хватит) своё заявленное выходное напряжение и оно уменьшится.

Итак, есть такие вопросы:
1)

Чтобы транзистор VT1 был наготове с 0А+5% нужно ему задать
Uэб. Пусть Uэб=0,6В без нагрузки.

Все-таки бэ (база эммитер-
как я понимаю...

) или эб (эммитер база-такого вроде не
слышал...)? А то в формуле так в описании так. Так вот в чем
вопрос - это просто так как захотели так и задали данную
величину? Или это табличные данные транзистора? Насколько я знаю
это данные табличные. Тогда почему именно 0,6 В? По сути надо
брать конкретный транзистор и смотреть его параметры.

2) Что такое все-таки Ку-насколько мне понятно коэффициент
усиления. Только чего? Я у Хоровица посмотрел, не нашел (все
читать времени конечно нету, что написано про транзисторы). если
знаете конкретно, - скажите пожалуйста на какой странице или
какая глава

Но зачем делить Rоб на сопротивление эммитера...
вопрос не ясен.

3) У преподавателя возникло сомнение в правильности вычисления
дельта Uбэ. Я не знаю как правильно, потому что не выяснил что
такое Ку.

4) Самое большое сомнение и негодование вызвало это "Чтобы
транзистор VT1 был наготове с 0А+5% нужно ему задать Uэб. Пусть
Uэб=0,6В без нагрузки.
Тогда Uбэ/R6=0,6В/0,33Ом=1,82А ; ток этот пойдёт через R1"
Это и есть основной вопрос.

Очень благодарен если вы мне поможете разобраться с этим

Только надо уже срочно

на защиту завтра...

ArT писал(а): Тогда почему именно 0,6 В? По сути надо
брать конкретный транзистор и смотреть его параметры.

Напряжение при котором открывается p-n переход кремниевого транзистора. У германиевых меньше.
Можно вот здесь посмотреть.
http://forum.cxem.net/index.php?showtopic=18288&hl=

ArT писал(а): Все-таки бэ (база эммитер-
как я понимаю...

Да.Виноват. Uбэ - база-эмиттер.Везде.

ArT писал(а):2) Что такое все-таки Ку-насколько мне понятно коэффициент
усиления. Только чего? Я у Хоровица посмотрел, не нашел (все
читать времени конечно нету, что написано про транзисторы). если
знаете конкретно, - скажите пожалуйста на какой странице или
какая глава Но зачем делить Rоб на сопротивление эммитера...
вопрос не ясен.

Хоровиц 1993 т.1 стр.84
Коэфициент усиления. Необходимо усилить сигнал с датчика тока - десятки милливольт до нескольких вольт (6,3В) , чтобы сработало рэле...

ArT писал(а):3) У преподавателя возникло сомнение в правильности вычисления
дельта Uбэ.

Ну дык - как мог! Пусть сам посчитает.

ArT писал(а):4) Самое большое сомнение и негодование вызвало это "Чтобы
транзистор VT1 был наготове с 0А+5% нужно ему задать Uэб. Пусть
Uэб=0,6В без нагрузки.
Тогда Uбэ/R6=0,6В/0,33Ом=1,82А ; ток этот пойдёт через R1"
Это и есть основной вопрос.

Согласен - коряво! Я надеялся - "причешите"... И вообще - мы тут о которой схеме рассуждаем?
http://forum.cxem.net/index.php?showtop ... ntry142589
Ну , скажем так : 1,82А - начальный ток. Чтобы задать начальное Uбэ.Чтобы вывести транзистор VT1 в активный режим.

ArT писал(а):Очень благодарен если вы мне поможете разобраться с этим
Только надо уже срочно на защиту завтра...

Смело - вперёд! Удачи!

Cпасибо большое. Но все-таки еще один тупой

вопрос - а почему Uбэ именно 0,6 почему не могу например 0,4 взять? Транзистор кстати сейчас германиевый поставил.

ArT, найди старую тему "Про диодов" и прочитай, почему.

Насколько я понял не менее примерно 0,6 В должно падать на кремниевом транзисторе чтобы он вообще в рабочем состоянии был?? Для германиевого ниже. Так?

Да. Кремниевый транзистор полностью открыт при 0,6..0,7 Вольт, ерманиевый- при 0,1 В

Сэр Мурр писал(а):Да. Кремниевый транзистор полностью открыт при 0,6..0,7 Вольт, ерманиевый- при 0,1 В

А закрыт при каких значениях?

ArT, а на лекциях вы что делали?

мышонок писал(а):ArT, а на лекциях вы что делали?

а лекции у нас ,во-первых, редко - один раз в две недели одна лекция, а во вторых там логическая, дискретная схемотехника, т.е. электротехники толком нет.

Это не схемотехника, а физика, 1-й курс, если не школа.

p-n переход, знаете ли...

В начале каждого специализированного курса лекций (элетроника и т.д.), первые несколько лекций всегда об этом же.

Транзисторов в электротехнике нет. Из полупроводниковых приборов там только диоды и тиристоры с симисторами.

Транзисторы - это уже электроника.

Ну про свойства то диодов (одного p-n перехода) я знаю

А вот про транзисторы слабо очень осведомлён, хотя по сути здесь тоже самое... p-n-p или n-p-n ......

p-n переход он и есть p-n переход. Всё тоже самое, и не верю, чтобы в лекциях этого не было.

Скажу только:
Активная область - напряжение на эмиттерном переходе (эмиттер-база) - прямое, на коллекторном (база-коллектор) - обратное;
Область отсечки - на обоих переходах обратные напряжения (транзистор заперт);
Область насыщения - на обоих переходах прямые напряжения (транзистор открыт);
Есть ещё и Инверсная активная область: напряжение на эмиттерном переходе обратное, на коллекторном - прямое.

Остальное можно прочитать в любом учебнике (и возможно в ваших конспектах

).

ArT писал(а):А закрыт при каких значениях?

Ясен пень, при нулевых!

Всем огромное спасибо! Нашел методичку в интернете про биполярные транзисторы на 43 страницы

Оттуда многое узнал, нашел бы раньше ... глупых вопросов таких бы не было