в усилителях же высокой частоты я заметил что обычно используют схемы с заземленным эмиттером, дающие достаточно непредсказуемое усиление в от h21min до h21max раз, почему так?
УНЧ легко и непринуждённо охватывается общей ООС, которая, собственно, и задаёт коэффициент усиления. Такой же фокус с ВЧ и тем более СВЧ устройствами не проходит: там даже минимальная ёмкость может привести к снижению запаса по фазе и переходу ООС в ПОС с самовозбуждением. Если и делают ООС, то лишь сугубо местную. Или, как вариант, ALC, АРУ.
Как вы выбираете коллекторный дроссель при построении УВЧ?
Всякий дроссель - это не только индуктивность, но также сопротивление и ёмкость. Значит, у него есть и резонансная частота. Чем выше индуктивность, тем ниже эта частота. Выше резонанса дроссель представляет собой "жалкое зрелище, душераздирающее зрелище, кошмар". А ещё есть и сопротивление потерь, откушивающее часть мощности. Это с одной стороны. С другой, слишком маленькая индуктивность - это тоже нехорошо по понятной причине. Так что ДЛЯ ОПРЕДЕЛЁННОГО ДИАПАЗОНА ЧАСТОТ вам и советуют нечто удовлетворяющее. Есть рекомендация в более общем виде: индуктивное сопротивление нагрузочного дросселя должно быть раз в пять-десять больше сопротивления нагрузки.
Персонально я для усилителей 27 МГц ставил дроссель ДМ или ДПМ 1 мкГн с подстроечным конденсатором, кажется, 4-15 пФ, вместе с коллекторной ёмкостью дроссель настраивался им в резонанс. Сигнал я снимал вторичной обмоткой в 4 или 5 витков (по ситуации), которую мотал поверх дросселя.
Правильно ли я понимаю что П контур можно представить как некий аналог выходного трансформатора для ламповых усилителей, преобразующий пары ток и напряжение с сохранением мощности, с учетом потерь разумеется? Может ли П контур работать как повышающий трансформатор, в том числе выдавая на выходе напряжение больше VCC, если например его входное сопротивление 20 ом, а нужно раскачать 300 омную антенну при 12 вольтах питания?
Правильно. Может. Подключая нагрузку к меньшей ёмкости, а генератор к большей, вы заставляете работать его повышающим "трансформатором". Только не переусердствуйте с коэффициентом, а то потери повылазят в полный рост, и вы не получите желаемого.
Чему равно входное сопротивление такого усилителя? Когда мы говорим в схемах с эмиттерным резистором, но его довольно легко посчитать (Rэ * h21э), как быть в случае если эмиттер заземлен мне не очень понятно.
Входное сопротивление каскада ОЭ без эмиттерного резистора тоже поддаётся расчёту. Просто надо помнить (начитавшись, к примеру, Хоровица-Хилла), что есть внутреннее сопротивление эмиттера rэ, зависящее от тока эмиттера, при температуре 300 К для кремниевого транзистора оно определяется как rэ = 0.026/Iэ. То есть при токе 1 мА оно равно 26 омам, а входное, можно считать, в h21э раз больше.
PS. Если вы хотите получить более-менее определённое входное сопротивление, скажем, 50 Ом, разумно делать схему ОБ, дав ей ток эмиттера 500 мкА - как раз оно и получится. Но это если в эмиттере будет дроссель, а то ведь резистор вмешается...
Последний раз редактировалось
mickbell Ср ноя 30, 2022 12:01:17, всего редактировалось 1 раз.