Господа, я пытаюсь разобраться! Не пинайте!
Даташит читал, но не понял! И да бы не наломать дров, пишу сюда.
Вот есть хорошее описалово:
https://ru.mouser.com/Search/m_ProductD ... BXP4BpZM0=И там есть характеристики, на которые я обратил внимание:
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100V
Id - Continuous Drain Current: 36 A
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2V
Vgs - Gate-Source Voltage: 16 V
Pd - Power Dissipation: 140 W
Давайте я попробую сказать, как я думаю, а вы меня поправите или согласитесь.
1) Напряжение пробоя. Превышать нельзя.
2) Ток пробоя. Превышать нельзя.
3) Порог открытия/закрытия транзистора. То есть можно юзать логические уровни микроконтроллера и транзистор будет работать как надо! В отличие от серии IRF, правильно????
4) Максимально напряжение, которым можно открывать транзистор. Превышать нельзя.
5) Самое интересное. Рассеиваемая мощность. То есть, получается, что нужно рассчитывать нагрузку так, чтобы уложиться в эти 140 Вт, правильно? Ну и в то же время чтобы не привысить пункты 1 или 2, верно?
Исходя из этого, если хотим через него пускать 14 вольт и 10 ампер, то как раз и получим эти 140 Вт.
А если вольт у нас 12 и 10 ампер, то будет 120 Вт, 20 из которых оставим про запас, да бы транзистор жил долго и счастливо.
Ответьте пожалуйста по пунктам, правильно ли я думаю? Да бы избежать глупых вопросов в будущем.
Спасибо