Пн авг 22, 2016 04:08:55
Вс сен 11, 2016 00:45:00
Вс сен 11, 2016 01:47:30
Albert_V писал(а):Дошли руки разобраться с BME280 и стразу вспомнился анекдот про суслика (которого не видно).
Как выяснилось, в режиме SPI, при CSB=1, линия SDO находится не в high-Z, а подтянута к VDDIO (внутри датчика).
В документации об этом ни слова не сказано.
я, веря документации (про high-Z), поставил с линии SDO BME280 на GND 10К.
Вс сен 11, 2016 01:57:56
1. Стр.33 видел. Про подтяжку SDO - ни слова. А вот про CSB чётко сказано: Pull-up resistor, Rpull, Internal CSB pull-up resistance to VDDIO, 120 kΩ (Typ.) [8.4.1 General interface parameters].a5021 писал(а):Оно может и не важно, но справедливости ради, в документации пару слов об этом все же есть. Стр. 33:
---
по феншую линии с низким активным уровнем имеет смысл притягивать к питанию и лучше чем-нибудь поболее 10к.
Вс сен 11, 2016 03:16:48
Albert_V писал(а):2. Какое отношение к низкому активному уровню имеет линия SDO в интерфейсе SPI?
Сб дек 23, 2017 20:25:10
Сб дек 23, 2017 20:39:30