Чт дек 16, 2021 18:18:37
yellowraven писал(а):Вы о какой схеме сейчас ведёте речь?
Чт дек 16, 2021 21:02:00
Пт дек 17, 2021 07:24:28
АлександрЛ писал(а):Вы меньше "советчиков" слушайте,
Пт дек 17, 2021 08:11:45
Пт дек 17, 2021 08:45:47
1en2 писал(а):конечно, конкретно в предложенном АлександромЛ решении никаких критичных ошибок нет
Пт дек 17, 2021 10:44:52
Пт дек 17, 2021 10:52:09
Ты будешь удивлен, но технологически стабилитрон и базо-эмиттерный переход делаются практически одинаково. Грубо говоря в средне-легированный кремний загоняется более мощное легирование примеси для образования проводимости противоположного типа. Именно за счет этого и появляется эвффект "стабилитронного" пробоя.Я в своё время использовал переход БЭ как микромощный стабилитрон,
Пт дек 17, 2021 12:57:59
Пт дек 17, 2021 14:13:48
У современных эпитаксиально-планарных транзисторов типовое максимально допустимое обратное напряжение перехода база-эмиттер равно пяти вольтам. Уже при шести вольтах он имеет полное право пробиться.АлександрЛ писал(а): И что будет транзистору от 5 вольт, приложенных к ЗАКРЫТОМУ ПЕРЕХОДУ?
Пт дек 17, 2021 14:22:45
Пт дек 17, 2021 16:39:52
У современных эпитаксиально-планарных транзисторов типовое максимально допустимое обратное напряжение перехода база-эмиттер равно пяти вольтам.АлександрЛ писал(а): И что будет транзистору от 5 вольт, приложенных к ЗАКРЫТОМУ ПЕРЕХОДУ?
Пн янв 24, 2022 19:23:50