КРАМ писал(а):Полторы МИКРОсекунды? Вы ничего не напутали? Какой предохранитель у вас срабатывает за 1,5 мкс? Вы вообще о чем?
Выброс мощности при переходном процессе (начале открытия транзистора) длится полторы микросекунды. Потом мощность падает (за счет того, что транзистор продолжает очень медленно открываться) до величин обозначенных в datasheet как continious, т.е. <91W, и лежащих под нужными кривыми. Кристалл продолжает интенсивно нагреваться на токе 38.2А, но примерно через 20 миллисекунд, на температуре кристалла около 120С сработает предохранитель (если чо, MF-MSMF150).
Так вот. Если время 1.5мкс, как найти эту кривую? Ели максимальная обозначенная кривая 100мкс, а по току я вылетаю за неё?
Добавлено after 47 minutes 39 seconds:вольта при 10 МИЛЛИсекундах допускается ток 50 Ампер (100 Ватт мгновенной мощности), а при падении 10 Вольт - только 1А (10 Ватт).
На самом деле, вот эти вот "кривые", для 10msec, 1msec, 100usec, это как раз получается константный рейтинг мощности. Вот например для IRFZ48ZS, для 100usec, берем две точки:
8V,100A=800W
40V,20A=800W
То есть ровно за 100us, при выделяемой в тепло мощности 800W, кристалл нагреется с 25С до 175С при температуре корпуса 25С. Что в общем то и написано в углу картинки.
Я даже проверил это в симуляторе, благо формула температурной модели кристалла дана на графике Maximum Effective Transient Thermal Impedance.
Но вопрос о мгновенной мощности остается открытым.
Фактически, SOA определен до 55V * 115A т.е 6325W в углу. И при мощности 6325W, кристалл будет греться с 25С до 175С целых 10 мкс. И собственно, что?
Он останется после этого жив? Или не жив? Линии там никакой нет, но формально мы ничего не превысили...
Добавлено after 10 minutes 33 seconds:То есть возникает вопрос, что произойдет с IRFZ48ZS если в течении 10мкс приложить к нему 115А на 55V (угол SOA) кроме нагрева с 25C до 175C?