Полевые и биполярные транзисторы - преимущества?

[parovoZZ]

Почему нет?

Потому, что надо сперва изучить сложившуюся практику и опыт современных разработчиков, затем рассуждать.

Интересно. В чем их секрет?

Нет там никаких секретов. При одинаковой стоимости выскоковольтных полевиков и БТИЗ, первые проигрывают высоким сопротивлением открытого канала. БТИЗ же уходит в насыщение и напряжение КЭ практически не зависит от протекающего тока. Достаточно посчитать потери для первого и второго случая, как всё станет ясно. Биполярная природа БТИЗ это его же и недостаток - из насыщения он выходит достаточно долго и для ускорения этого процесса его приходится загонять в режим работы С. Для МОП транзистора достаточно D.

1. Более высокое сопротивление в ключевом режиме работы, чем у полевиков, со всеми вытекающими..

1. Низкое сопротивление в ключевом режиме работы. Особенно транзисторы HEXFET или StrongIRFET.

Очень спорно и зависит от условий применения. Смотри выше.

2. Искажают аналоговый сигнал.

Любой нелинейный элемент искажает сигнал. Транзисторы все являются таковыми.

2. Боятся статики.

Не все.

4. Имеют емкость затвора.

А у биполярного нет проходных емкостей? Вот это новость.

Еще не понятно почему у BJT указывают частотную характеристику, а у MOSFET нет?

Всё указывается. Смотрите внимательнее даташиты.

[Kalisnik]

parovoZZ писал(а):

Потому, что надо сперва изучить сложившуюся практику и опыт современных разработчиков, затем рассуждать.

Вы себя к современным разработчикам не относите?