По картинке: обратите внимание, что там два графика напряжения насыщения в зависимости от тока: Б-Э и К-Э, не перепутайте.
Кстати, ещё один критерий насыщения: Uбэ > Uкэ. То есть вы можете и в реальной схеме понять, что транзистор находится в насыщении. Имейте в виду, что на графике не гарантия того, что такое напряжение и есть для любого транзистора этого типа, это всего лишь типичная зависимость.
Теперь о расчёте. Рассказываю, как надо его выполнять.
1. Я так понимаю, что вы хотите загнать в насыщение транзистор с определённым сопротивлением нагрузки в коллекторе и определённым напряжением питания. Зная эти два параметра (а по-хорошему из напряжения питания нужно вычесть напряжение насыщения транзистора, хотя оно на результат влияет мало, так что можно это не делать), вы определяете ток коллектора, который вам нужно туда, в коллектор, загнать. По закону Ома.
2. Коэффициент передачи тока транзисторов зависит от коллекторного тока, поэтому, когда лезете в даташит, чтобы определить его, помните об этом. Для расчёта берите минимально возможное значение, то есть наихудший вариант, ни в коем случае не типовое значение.
3. Требуемый базовый ток определяете, разделив коллекторный ток на коэффициент передачи тока.
4. Рассчитанное значение увеличиваете раза в два или три - это запас, гарантирующий режим насыщения.
5. Зная базовый ток и напряжение питания (можно также знать напряжение насыщения Б-Э для выбранного базового тока, его вычитаете из напряжения питания), уже можно выбрать базовый резистор. По закону Ома, ага.