От начала и до сих пор правильно.
Стало быть, сколь бы большим ни было сопротивление Rб2, оно практически не будет влиять на напряжение на базе и на ток базы. Существенное влияние Rб2 на ток базы возможно только в случае, если его сопротивление будет сопоставимо с сопротивлением p-n перехода, включённого в прямом направлении, а это, как я понимаю, доли ома.
Делитель применяется чтобы исключить влияние разброса параметров транзистора на режимный ток схемы, ток через Rб2 должен быть в несколько раз больше тока базы.
В оценке сопротивления перехода постоянному току ошибка, оно примерно = 0,6/ток базы, т.е. десятки ом - единицы мегаом.
Мне знакомо утверждение "биполярный транзистор управляется током, а полевой – напряжением". Но в книге, по которой я изучаю электронику, всё-таки говорится именно о смещающем напряжении на базе.
Управление и смещение физически одно и то же, но на практике удобно их чётко разделить:
смещение на базе задаёт ток коллектора без сигнала, управляющий сигнал подаётся дополнительно к смещению.
Применительно к биполярному транзистору можно говорить о токе, если цепь смещения последовательна базе, как на первой картинке
и о напряжении, если смещение задаётся делителем, как на второй.
Что касается управления любыми транзисторами и электронными лампами, то в книжке написано неправильно, управление осуществляется зарядом.
Для того, чтобы создать управляющий заряд на затворе полевого транзистора, нужно пропустить на затвор импульс тока,
ведь сопротивление постоянному току цепи затвор-исток почти бесконечно.
чтобы создать заряд в базе, нужно пропускать постоянный ток через переход база-эмиттер, поскольку сопротивление этого участка цепи постоянному току невелико,
импульсом зарядки ёмкости перехода можно даже и пренебречь.
Добавлено after 2 minutes 6 seconds:падение напряжение на КЭ переходе
Не вводите в заблуждение, нет такого перехода.