Спасибо за содержательные ответы. С насыщением разобрались.
2) Линейный (усилительный) режим работы транзистора.
Теория:
что бы транзистор начал усиливать, необходимо задать точку смещения базы, которая будет выше отсечки, приоткрыть транзистор выполнив расчет необходимых номиналов резисторов.Расчет состоит из установки
тока покоя коллектора и дальнейшего расчета тока смещения базы.
Какой задать ток покоя коллектора не совсем понятно?!. 1) Номинал резистора коллектора рассчитывают по формуле: Rколлектора = Uпитания / Iток покоя коллектора;
2) Рассчитывают ток базы по формуле: Iбазы = Iток покоя коллектора / hFE, значение коэффициента усиления hFE берут из даташита, либо узнают с помощью измерительной аппаратурой(мультиметр в режиме измерения hFE), либо двумя мультиметрами с заданным током коллектора 0,010 Ампера, находят разницу Iк/Iб;
3) Номинал резистора базы рассчитывают по формуле: Rбазы = (Uпитания - Uпадения кремния(0,6 ... 0,7 V)/ Iбазы.
Для примера выберем ток покоя коллектора равным
Iток покоя коллектора = 0,0025 А;
1) Находим номинал резистора
Rколлектора = 5V / 0,0025 А =
2000 Ом;
2) Находим ток смещения базы
Iбазы = 0,0025 А / 300 (hFE измерил мультметр) =
0,0000083 А или 8,3 мкА;
3) Находим номинал резистора
Rбазы = (5V - 0,6V)/0,0000083 =
528 Ом ... пусть это будет блок потенциометров настроенных на 528 Ом.
Собираем схему, используем для измерения два мультиметра в режиме измерения силы тока, потом используем двухканальный осциллограф и генератор.
Сначала измерения проводим с помощью постоянного тока составляя таблицу зависимости ток коллектора от тока базы, далее подключаем генератор синуса к базе и смотрим усиленный сигнал на осциллографе. Схема и вопрос в иллюстрации...
1) Почему расчетное смещение базы так близко к насыщению транзистора?
2) Почему нельзя выбрать (из таблицы измерений) ток базы ниже расчетного, где наиболее высший коэффициент hFE, не изменяя номинал (сопротивление) расчетного нагрузочного резистора в коллекторе?
- Вложения
-
- _OSC.png
- (105.66 KiB) Скачиваний: 202