hybroid писал(а):Для этого боги придумали местную ООС. Делается резистором в истоке/эмиттере, на каждом транзисторе. А намного приятнее - поставить нормальный транзистор, в большом корпусе, с большим кристаллом, IRFP какой-то.Lander писал(а):чуть один транзистор откроеться позже другого то вся "нагрузка" ляжет на одни транзистор и он выгорит, а потом и остальные.
А подскажите пожалуйста, назначение этих резисторов ? Я к тому, что ведь истоки всех включаемых паралельных транзисторов и так соеденены проводами, смысл к ним добовлять одно и тоже сопротивление ?
Провода и так имеют 0.4 Ом сопротивления, добавив еще по 0.5 Ом во всех истоках будет по 0.9 Ом. А как смысл ? Что везде будет 0.4 Ом или 0.9 Ом ??

