Phaeton писал(а):какое вообще можно максимальное напряжение на базу транзистора подавать?
Такое, которое удобно принимать от схемы управления. И преобразовывать это напряжение резистором в ток. (Мы ведь помним, что биполяр управляется током)
Но и такое которое не превышает максимально возможное для перехода БЭ или БК. (оговаривается в даташитах) Но оно обычно равно или примерно равно максимальному напряжению КЭ, так что за эти пределы часто и не выйти так как коммутируемое напряжение часто выше напряжению управления.
Phaeton писал(а):И на сколько можно превышать ток базы?
Весь расчет идет с прибавкой 1..10% от тока насыщения. Соответственно настолько и превышаем. Превышаем чуть чуть, чтобы иметь гарантию полного отпирания транзистора. Увеличивать этот параметр не стоит, так как на ток это не влияет потому что КЭ и БЭ входят в насыщение и ток уже не меняется. А вот тепловыделение увеличивается если гнать в базу необоснованно много. Поэтому разогревать ее смысла нет.
Phaeton писал(а):В расчетах ваших я не понял, где там четко написано 750, там есть:
750 это по опыту использования дарлингтонов. Бывает для некоторых 500... В любом случае при расчете транзистора в ключевом режиме стоит исходить из минимального значения.
Ну можете 1000 принять или вот исходя из буквенной маркировки
Marking
hFE2
M 2000 to 5000
L 4000 to 10000
K 8000 to 30000
Соответственно берем минимум.
Это не суть важно. Важно обеспечить гарантию полного отпирания. Иначе активный режим = нагрев. Можно заведомо еще меньше брать с тем расчетом чтобы в схеме можно было разные транзисторы использовать. Схема становится универсальней.
Phaeton писал(а):При токе коллектора 0,2 А - 1000, 0,5 А-2000, и еще какие то 30 000 MAX. Откуда 750 появилось? Какой коэффициент при 1 А?
Расчет ведется исходя из тока коллектора транзистора. В данном случае 1А или 2А для импульсного режима.
Все эти цифры приведены для разных условий, которые там же оговорены. h21 вообще говоря не постоянно и зависит от тока коллектора. На что есть соответствующий график в даташитах.
Phaeton писал(а):Чувствую себя полным дураком...
Многие вещи нам непонятны не потому, что наши понятия слабы, но потому, что сии вещи не входят в круг наших понятий. Козьма Прутков.
Phaeton писал(а):фактически мы управляем двумя нижними транзисторами логическими уровнями
В яблочко! А если хотим управлять верхним, то все равно отплясываем снизу. Ставя например дополнительный транзистор маломощный.
Phaeton писал(а):единственное падение напруги на этом мосте около 6 вольт получилось, я так понимаю 3 вольта упало на транзисторах, а еще 3 куда делись?
По нефтепроводу из точки А нефть поступает в точку Б... Кто сидит на трубе?
ХЗ мультиметром измерьте каждый участок. На транзисторах должно падать 3В, в нагрузку все остальное.
Phaeton писал(а):Да, и в схеме поддяжка к +5 стоит, и первый раз мост у мня сгорел, так как обе диаганали открыты получились=), вылетел 1 транзистор нижнего плеча. Потом я переделал подтяжку на землю, и все стало люкс.
В продвинутых схемах делают защиту от подачи сразу 2х сигналов.
Phaeton писал(а): Кстати я тут помозговал, и решил что наверно самое надежное, это когда в схеме моста транзисторы разной структуры стоят, мост надежней получаетсяи прощев управлении. Все так?
Не знаю насколько он надежнее, потому что надежность зависит от грамотности проектирования схемы и ее устойчивости к отклонению номиналов и режимов работы, а так же к температуре.
Но лично мне, как вы и сказали, нравится именно с разной структурой в виду простоты управления.
Phaeton писал(а):Но все таки, а ему на затвор какое напряжение максимальное подать можно?
Обычно не более +- 20В. Некоторым транзисторам до 30. А есть лоджик левел, которые полностью открываются на 5В но можно так же до 20 поднимать. Это предельно допустимые знанчения.
Параметр VGS Gate-to-Source Voltage.
Перед работой с полевиками советую разряжить статику например на батарею или в водопровод. Но и при этом стараться особо не лапать выводы.
Phaeton писал(а):то верхние транзисторы придется напряжением выше 250 октрывать?
Нет.
А вот догадайтесь с одной попытки
