Транзисторные ключи.

[Gudd-Head]

А как вы хотите ловить срабатывание контактов без тока (разряда батареи), если у вас по схеме что с разомкнутым, что с замкнутым реле разность потенциалов между минусовой клеммой второй батареи и общим проводом равна 0???

[TheTERMINATOR]

Хорошо, перефразирую. Ток разряда на индикацию - минимально возможный.

[Gudd-Head]

Всё равно, скорее надо будет ставить шунт в минус батареи.

[TheTERMINATOR]

Конкретику пожалуйста.

[Gudd-Head]

Куда уж конкретнее?

R-2-R компаратором отслеживать напряжение на шунте, подтянуть верхний вход к плюсу так, чтобы при разомкнутом реле он отрабатывал в одну сторону, а при замкнутом — в другую.
Только это будет косвенная индикация.

[TheTERMINATOR]

А что внутри "черного ящика"?

[Gudd-Head]

Так написано же: компаратор с rail-to-rail входом.

[kingpin_ak]

Всем доброго времени суток.

Имеется модуль wirenboard WB-MR6C v.2, это 6-канально реле для управления нагрузкой 220в (я использую для вкл/выкл освещения). Работает по принципу "сухой контакт". Чтобы включить свет, нужно замкнуть вход с нужным номером и специальным входом iGND, таким образом обычный выключатель справляется со своей задачей.
Я хочу заменить выключатель на устройство на ESP32, у которого с одного из GPIO выходит сигнал 3.3в по нажатию кнопки. И держится на этом уровне пока снова не нажать кнопку.

Вопрос, - как можно применить транзисторный ключ, чтобы по управляющему сигналу 3.3в из GPIO замыкались нужные мне вводы на WB-MR6C v.2?

Напряжение на входе WB-MR6C v.2 ~12 В. Ток при замыкании входа ~2 мА.
От выключателя к реле прокинута витая пара.

Спасибо!

П.С. у меня 2 кнопки и 2 GPIO порта, на реле соответственно 2 входа и общий iGND
П.П.С. вопрос дилетантский, прошу сильно не пинать

[AlexS4]

kingpin_ak,

Входы
Количество входов (Inputs 0—6) 7 (6+1) Вход 0 отключает одновременно все реле (можно настроить по-другому)

Тип входов «Сухой контакт», групповая изоляция
Напряжение на входе ~12 В. Ток при замыкании входа ~2 мА

любой маленький транзистор npn или n-fet, исток или эмиттер на общий, сток или коллектор - на вход 1-6 модуля.
базу или затвор чеоез 10k на gpio (выход mcu). в случае n-fet затвор можно напрямую на gpio.
если предпологается разьемное соединение с mcu то дополнительно подтянуть входы ключей со стороны gpio резисторами ~10k на общий (чтоб у отключенных ключей затвор или база оказались замкнуты на общий через пару входных резисторов, ну чтоб транзисторы были надежно закрыты и не сводили с ума рэле)

[kingpin_ak]

[uquote="AlexS4",url="/forum/viewtopic.php?p=4510667#p4510667"]kingpin_ak,

Входы
Количество входов (Inputs 0—6) 7 (6+1) Вход 0 отключает одновременно все реле (можно настроить по-другому)

Тип входов «Сухой контакт», групповая изоляция
Напряжение на входе ~12 В. Ток при замыкании входа ~2 мА

любой маленький транзистор npn или n-fet, исток или эмиттер на общий, сток или коллектор - на вход 1-6 модуля.
базу или затвор чеоез 10k на gpio (выход mcu). в случае n-fet затвор можно напрямую на gpio.
если предпологается разьемное соединение с mcu то дополнительно подтянуть входы ключей со стороны gpio резисторами ~10k на общий (чтоб у отключенных ключей затвор или база оказались замкнуты на общий через пару входных резисторов, ну чтоб транзисторы были надежно закрыты и не сводили с ума рэле)[/uquote]

спасибо!

не уверен правильно ли я вас понял, вот собрал в Micro-Cap такую схему:


но я думал, что работать будет немного по-другому:

[AlexS4]

kingpin_ak, эмиттер (3) Q1 на землю жеж! ,R5 ненужен, а низ R6 на +12V а выход с коллектора и верха R6.
а при изготовлении вживую - R6 и источник +12V ненужны , они уже есть внутри модуля с реле.

[kingpin_ak]

[uquote="AlexS4",url="/forum/viewtopic.php?p=4512475#p4512475"]kingpin_ak, эмиттер (3) Q1 на землю жеж! ,R5 ненужен, а низ R6 на +12V а выход с коллектора и верха R6.
а при изготовлении вживую - R6 и источник +12V ненужны , они уже есть внутри модуля с реле.[/uquote]

я был в чипдип и на всякий случай купил bs170, собрал на макетной плате вот такую схему, теперь сразу на 2 канала и, как это ни странно, она работает! реле щелкает



подскажите по резисторам, может где-то не хватает или лишние, или может номинал нужен другой. Не хочу чтобы что-то вышло из строя

а при изготовлении вживую - R6 и источник +12V ненужны , они уже есть внутри модуля с реле.

про источник понимаю, а резистор точно не нужен (в новой схеме я так понял это R4 и R6)?

[AlexS4]

если верить их описанию модуля - R4,6 ненужны точно !)

[slyubez]

Всем привет.

Собрал несколько часов с семисегментными светодиодными индикаторами; фрагмент схемы прилагаю. Управление динамической индикацией идет с выходов Atmega 328P-PU через транзисторные ключи. Задействовано всего 12 выходов, 8 на сегменты и 4 на общие аноды индикаторов. Питание сделал от 14В через дополнительный регулятор на LM350. В каждом сегменте индикатора по 5 светодиодов, за исключением десятичной точки, там один. Но кажется мне, с расчетом номиналов сопротивлений на входы ключей и между транзисторами составных ключей я как-то слегка просчитался. Биполярные транзисторы выбрал потому что их сложнее вывести из строя, в отличие от полевых. Хотя схема работает хорошо, хотелось бы обсудить вопросы корректировки номиналов резисторов или даже схемы ключей. Спасибо.

MyCircuit.jpg

(160.1 КБ) 170 скачиваний

[Martian]

[uquote="slyubez",url="/forum/viewtopic.php?p=4528652#p4528652"]Биполярные транзисторы выбрал потому что их сложнее вывести из строя, в отличие от полевых.[/uquote]Заблуждение. Особенно забавное тем, что в используемом микроконтроллере на выходе стоят они самые, полевые.

[slyubez]

[uquote="Martian",url="/forum/viewtopic.php?p=4528662#p4528662"]Заблуждение. Особенно забавное тем, что в используемом микроконтроллере на выходе стоят они самые, полевые.[/uquote]
Ну как сказать... Микросхему ставлю в DIP панельку уже после пайки транзисторов на плату. Антистатический браслет не использую. Если не перегревать, все будет нормально, бояться статики нечего. А с полевиками еще непонятно как будет.

[Martian]

Понятно. Очередные суеверия, основанные на безграмотности, и в итоге отказываться от отличнейших компонентов...
И ещё - статика не зависит от перегрева, и пробить может что угодно, даже Ваш микроконтроллер, в момент установки в панельку.

[AlexS4]

slyubez, если опасаетесь статикой пробить изолированный затвор берите fet с tvs защитой затвора, таких немало во всех мощностях.

вообще современные fet даж без tvs не такие уж нежные, если вы как электрошокер не стреляетесь во все статикой то случайно сжечь реально только вч fet c пикофарадными затворами. если паяльник не заземлен - прикрутите к его фланцу 100k 0.25W и второй конец пальчиком придерживайте (резистор нужен для безопасности на случай пробоя термоэлемента).

а у mcu и cmos логики затворы всегда защищены pn переходами и они обычно прочнее чем отдельные fet без tvs.

[slyubez]

Очередные суеверия, основанные на безграмотности, и в итоге отказываться от отличнейших компонентов...

В этом ничего страшного нет. Мне с биполярниками банально проще, их у меня уже набрано предостаточно.

И ещё - статика не зависит от перегрева, и пробить может что угодно, даже Ваш микроконтроллер, в момент установки в панельку.

Я это всё понимаю. Контроллер можно вставить и с соблюдением мер предосторожности.

вообще современные fet даж без tvs не такие уж нежные, если вы как электрошокер не стреляетесь во все статикой то случайно сжечь реально только вч fet c пикофарадными затворами. если паяльник не заземлен - прикрутите к его фланцу 100k 0.25W и второй конец пальчиком придерживайте (резистор нужен для безопасности на случай пробоя термоэлемента).
а у mcu и cmos логики затворы всегда защищены pn переходами и они обычно прочнее чем отдельные fet без tvs.

Ну может и так. Меня еще давно учили, что такие вещи обязательно защищать от статики и полей. Вопрос мой собственно относился к схемам ключей на биполярных транзисторах, поскольку выбраны именно эти элементы по такой схеме.

[AlexS4]

slyubez,

R15 итп 1k..33k хватит, практически сопротивление ниже сотен кОhm там нужно только для скорости закрытия Q4.
R16,R17 лучше переставить: R16 передвигаем на B-E Q5 и делаем его ~330 (это многократно уменьшит время закрытия Q5 и соответственно коммутационный тепловой импульс)
а R17 ~1k норм при 14V это даст ~10mA в базу Q5 и при его h21e скажем 100 гарантирует насыщение до тока коллектора 1А (140mA на сегмент)

R24,... можно ~1k чтоб ваще не париться вопросом с h21e и емкостью базы.