АндрейАвербах писал(а):момент(когда ток течет через катушку вверх) на коллекторе оказывается напряжение меньше 0 ?
Да, ничего удивительного, там, где в коллекторах катушки большой индуктивности (обмотки реле, трансформаторы в однотактных ИИП) их шунтируют диодом, чтобы не пожечь коллекторный переход обратным током.
АндрейАвербах писал(а):Что изображено синей стрелкой
АндрейАвербах писал(а):когда ток течет через катушку вверх, то тот запас эл-ва, что находится в С2 каким-то образом попадает в ток катушки и начинает заряжать конденсатор С1, так?
Можно считать, что это направление движения электронов в выводах транзистора.
АндрейАвербах писал(а):когда ток течет через катушку вверх, то тот запас эл-ва, что находится в С2 каким-то образом попадает в ток катушки и начинает заряжать конденсатор С1, так?
Если сделать мгновенный снимок системы ( L, C1, C2) то в точке их соединения будет зафиксирован какой-то строго определенный потенциал. Теперь, когда ток в катушке пойдет вверх,
положительный потенциал её нижнего конца начнет уменьшаться, это уменьшение положительного потенциала через С2 (который для переменки представляет собой некоторое сопротивление, зависящее от скорости изменения потенциала) вызовет уменьшение положительного потенциала эмиттера относительно потенциала базы. Транзистор начнет открываться. Ток С1 начнет распределяться между током в катушку и током через транзистор на общий провод, соотношения токов будут меняться в зависимости от степени отпирания транзистора. Процесс несколько сложнее, чем на первый взгляд.
АндрейАвербах писал(а):я никак не могу отделаться от привычки рассматривать любые схемы с транзисторами как включение с ОЭ
Теоретически разницы между этими включениями нет в том плане, что сопротивление К-Э транзистора зависит от тока Б-Э, который в свою очередь зависит от напряжения Б-Э. При ОЭ потенциал эмиттера зафиксирован и увеличение на базе положительного потенциала (относительно эмиттера) вызывает увеличение тока через Б-Э. Если же зафиксировать положительный потенциал на базе (ОБ), а на эмиттере начать его понижать, то изменение разности потенциалов (напряжения) опять-же вызовет увеличение тока через Б-Э, а следовательно и отпирание транзистора. Внешняя разница будет в том, что входное сопротивление схемы ОБ будет много ниже, чем ОЭ, так, как ток эмиттера гораздо больше тока базы.
В начале жизнь мучает вопросами, в конце - ответами...