Мелкие вопросы по теории

[ИРБИС]

Mosfet 2007, пожалуйста, перерисуй схему поаккуратнее. Что-то ты там по-моему перемудрил!

[Steam]

Меньше чем "трешолд волтаж" - т.е. обычно меньше 1.5 вольт разности он закрыт - уточните в Даташите.

Это Gate Threshold Voltage? Там от -2 до -4. Что это означает?

P.S. Как я понял, Gate Threshold Voltage переводится "Порог напряжения затвора"

[tych]

Напряжение переключения транзистора.

[tych]

Меньше чем "трешолд волтаж" - т.е. обычно меньше 1.5 вольт разности он закрыт - уточните в Даташите.

Это Gate Threshold Voltage? Там от -2 до -4. Что это означает?

Это значит что при напряжении от -1 до +20 (примерно, нужно смотртеь допустимое напряжение на затворе в дш) вольт - он точно закрыт.

Для n-MOSFET будет от +1 до -20 вольт примерно.

[Mosfet 2007]

Для Ирбиса: я не перемудрил, пары транзисторов с необходимыми защитными диодами притягивают необходимые выводы светодиода и обязательный резистор куда надо, переполюсовок транзисторов нет. Подразумевается невозможность одновременной подачи управляющего сигнала на оба входа управления. Постоянно открыта только одна из пар транзисторов

[ARV]

имхо, достаточно 2 транзистора, 2 резистора и двуполярный светодиод... ну, если учесть резисторы в базовых цепях, то 4 резистора перемудлил в схеме явно

[ИРБИС]

Mosfet 2007, так нарисуй сам, а не перекладывай ответственность на Мурку-бандитку! Я прошу просто нарисовать схему поаккуратнее. Ты же сначала сказал, что у тебя выходы с двух компараторов, сейчас ты что-то другое изобразил.

[noname Incognito]

Пардон, что встреваю в ваш разговор, но создавать отдельную тему под данные вопросы, наверное, не нужно. Были уже похожие темы, но всё же, это не совсем то.

1) Почему входное сопротивление транзистора подключённого по схеме с ОЭ на порядок больше, чем по схеме с ОБ? Ведь если под входным сопротивлением транзистора подразумевается, сопротивление которое создаёт приграничный потенциал перехода эмитер-база, то в случае с ОЭ оно должно быть даже меньше, так как сумарный потенциал действующий на этот переход больше, чем по схеме с ОБ. Обеднённые шары стают уже, сопротивление уменьшается...

2) Аналогично, почему выходное сопротивление транзистора подключённого по схеме с ОЭ на порядок меньше, чем по схеме с ОБ?
Ведь опять-же таки, если под выходным сопротивлением транзистора подразумевается сопротивление перехода база-колектор, то в случае с ОЭ оно должно быть больше, чем при ОБ. Так как ток, протекающий через этот переход намного больше, чем в варианте с ОБ. Это должно привести к разширению обеднённых шаров и увеличению сопротивления. Всё как-то зеркально получается... Или я просто не понимаю, что такое входное и выходное сопротивление транзистора.

P.S. Чтобы не путаться, разматривается npn-транзистор.

[ИРБИС]

noname Incognito, прочтите в учебниках о параметрах 4-х полюсника, затем посмотрите, какие параметры указываются в справочных данных транзисторов и опять же прочтите в учебнике об основных схемах включения транзисторов.

[Steam]

Здравствуйте!

Вот такая схемку будет работоспособна? Чтобы ограничить силу тока (0,05А) нужно подключить резистор к стоку или к истоку транзистора?

[tych]

Посмотри про MOSFET-ы - http://www.radiokot.ru/forum/viewtopic. ... 3395#73395

Если источник тока нужен то его можно сделать на регулируемом регуляторе напряжения - LM317 например.

Прарллельно R2 лучше стабилитрон поставить на 12-15 вольт а резистор токоограничения ставь от 50 вольт питания.

[Steam]

это часть схемы зарядки конденсатора. Просто не показал нагрузку конденсатора, которая комутируется через тиристор. Тут транзистор выполняет функцию реле. А зачем нужен стабилитрон?

Как можно сделать индикацию того, что конденсатор заряжен? Например должен загореться светодиод. Просто поставить компаратор?

[tych]

Или TL431

[tych]

Можно поставить конденсатор на З - И и транзистор будет плавно открываться и конденсатор будет плавно заряжаться.

Примерное время будет R2 * конденсатор параллельно ему.

[AISe]

Как расчитать напряжение пробоя плоского конденсатора? Что-то никак не допру

[AISe]

А вообще, если я правильно понимаю, то тут элементарная формула: U=q/C, причем U как раз и будет напряжением пробоя? Ну а любезно подсказанная уважаемым пользователем ИРБИС формула C=e0eS/d в свою очередь поможет вычислить искомые габариты конденсатора.

[aen]

Как можно сделать индикацию того, что конденсатор заряжен?

Такие уже есть и делать ничего не нужно.

1 фарада.

[Dasha]

люди, расскажите, откуда вы берете мозги? я бы тоже туда сходила. А если серьезно, может кто знает где взять теорию плоского несимметричного диэлектрического волновода, а то везде мизерная информация, хотелось бы чего-нибудь более глобального.

[Сэр Мурр]

Зайти на поисковую машину www.nigma.ru ;в окне поиска набрать плоский волновод теория, выбрать "поиск в библиотеках" , нажать кнопочку "поиск"и просмотреть 4 страницы ссылок по этой тематике...

[Dasha]

Спасибо большое!! очень большое, а то я прям растерялась)